Теоретически и экспериментально исследованы фотоэлектрические характеристки p-i-n-структур, изготовленных на основе a-Si : H, при деградации их параметров, вызванной воздействием мощного светового излучения. Используя модель транспорта переменных неосновных носителей, в дрейфовом приближении мы рассчитали распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в i-слое, неоднородность которых вызывается обусловленным деградацией фотогенерированным объемным зарядом, а также вольтамперную характеристику (ВАХ) в фотодиодном и вентильном режимах, фототок и ток короткого замыкания (к. з.) в зависимости от основных параметров материала базы и структуры. Предсказаны изменение вида ВАХ и значительное уменьшение тока к. з. под действием вызванной светом деградации: возникновение на ВАХ линейного и квадратично-сублинейного участков, переходящих при больших обратных смещениях в участок насыщения фототока. Напряжение начала последнего участка ВАХ возрастает, как показано далее, с повышением степени деградации и интенсивности света. Показано соответствие данных эксперимента известным из литературы фактам неизменности фотонапряжения холостого хода и фототока, а также результатам развитой в работе теории.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.