Исследованы энергетические зависимости степени линейной rho_l и циркулярной rho_c поляризаций фотолюминесцении горячих электронов в структурах с квантовыми ямами в системе GaAs/AlGaAs. Наблюдались быстрый рост rho⁰_l и падение rho⁰_c при рекомбинации из точки рождения с увеличением начальной энергии электронов E₀. В соответствии с теорией И.А. Меркулова, В.И. Переля, М.Е. Портного [ЖЭТФ, 99, 1202 (1991)] такой ход rho⁰_l(E₀) и rho⁰_c(E₀) обусловлен смешиванием состояний подзон тяжелых и легких дырок. Деполяризация горячей фотолюминесценции двумерных электронов (уменьшение rho_l) при испускании ими LO-фононов происходит гораздо сильнее, чем в трехмерном случае. Угловая зависимость rho_l, обусловленная гофрировкой валентной зоны, оказывается в двумерном случае гораздо более выраженной по сравнению со случаем объемных кристаллов арсенида галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.