"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Примесь алюминия в кремниевых полупроводниковых структурах SiO2-Si
Дутов А.Г.1, Комар В.А.1, Ширяев С.В.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Используя нейтронно-активационный анализ в сочетании с разработанным методом послойного электрохимического травления облученных образцов, провели исследование содержания и характера распределения примеси алюминия в кремниевых полупроводниковых структурах диоксид кремния-кремний. Установлены высокий уровень содержания этого элемента, а также крайне неравномерный характер его распределения по объему структуры с накоплением в основном на фазовых границах диоксида кремния и в приповерхностных слоях пластины кремния. Обсуждается влияние примеси алюминия на характеристики формируемых полупроводниковых структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.