Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF₂/Si(111)

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53139.25

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.08.54108.25

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-52-00016

Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф20Р-082

Зиновьев В.А. ¹, Дерябин А.С.¹, Кацюба А.В.¹, Володин В.А.^1,2, Зиновьева А.Ф.^1,2, Черкова С.Г.¹, Смагина Ж.В.¹, Двуреченский А.В.^1,2, Крупин А.Ю.³, Бородавченко О.М.⁴, Живулько В.Д.⁴, Мудрый А.В.⁴

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

⁴Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

Scientific and Practical Materials Research Center, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

Email: zinoviev@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, kacyuba@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, aigul@isp.nsc.ru, cherkova@isp.nsc.ru, smagina@isp.nsc.ru, dvurech@isp.nsc.ru, mirazh@eml.ru, borodavchenko@physics.by, vad.zhiv@gmail.com, mudryi@physics.by

Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.

В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.

Принята к печати: 25 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Развиты подходы к получению эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si и Ge, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF₂. Исследования методом комбинационного рассеяния света продемонстрировали наличие узких пиков рассеяния на колебаниях Si-Si- и Ge-Ge-связей в плоскости роста структур. В спектрах фотолюминесценции созданных структур обнаружены полосы излучения, которые могут быть связаны с излучательной рекомбинацией носителей заряда в двумерных слоях Si и Ge, встроенных в CaF₂. Ключевые слова: фторид кальция, кремний, германий, молекулярно-лучевая эпитаксия, электронное облучение, атомная структура, фотолюминесценция.

M. Galbiati, N. Motta, M. De Crescenzi, L. Camilli. Appl. Phys. Rev., 6, 041310 (2019)
M. Houssa, E. Scalise, K. Sankaran, G. Pourtois, V.V. Afanas'ev, A. Stesmans. Appl. Phys. Lett., 98, 223107 (2011)
L.C. Lew Yan Voon, E. Sandberg, R.S. Aga, A.A. Farajian. Appl. Phys. Lett., 97, 163114 (2010)
G. Vogg, A.J.-P. Meyer, C. Miesner, M.S. Brandt, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 78, 3956 (2001)
G. Vogg, M.S. Brandt, M. Stutzmann, M. Albrecht. J. Cryst. Growth, 203, 570 (1999)
B. Lalm, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet, B. Aufray. Appl. Phys. Lett., 97, 223109 (2010)
M E Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, G. Le Lay. New J. Phys., 16, 095002 (2014)
P. Castrucci, F. Fabbri, T. Delise, M. Scarselli, M. Salvato, S. Pascale, R. Francini, I. Berbezier, C. Lechner, F. Jardali, H. Vach, M. De Crescenzi. Nano Research, 11, 5879 (2018)
L. Tao, E. Cinquanta, D. Chiappe, C. Grazianetti, M. Fanciulli, M. Dubey, A. Molle, D. Akinwande. Nature Nanotech., 10, 227 (2015)
А. С. Качко, В. Н. Ваховский, В. А. Володин. Вестн. НГУ, Сер. Физика, 5, 48 (2010)
A.V. Kacyuba, A.V. Dvurechenskii, G.N. Kamaev, V.A. Volodin, A.Y. Krupin. Mater. Lett., 268, 127554 (2020)
S.M. Castillo, Z. Tang, A.P. Litvinchuk, A.M. Guloy. Inorg. Chem., 55, 10203 (2016)
В.А. Зиновьев, А.В. Кацюба, В.А. Володин, А.Ф. Зиновьева, С.Г. Черкова, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, А.Ю. Крупин, О.М. Бородавченко, В.Д. Живулько, А.В. Мудрый. ФТП, 55, 808 (2021)
В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТП, 40, 1349 (2006)
S. Kanemaru, H. Ishiwara, S. Furukawa. J. Appl. Phys., 63, 1060 (1988)
P.J. Dean, J.R. Haynes, W.F. Flood. Phys. Rev., 61, 711 (1967)
N.S. Minaev, A.V. Mudryi. Phys. Status Solidi A, 68, 561 (1981)
S. Pizzini, M. Guzzi, E. Grilli, G. Borionetti. J. Phys.: Condens. Matter., 12, 10131 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель