Вышедшие номера
Локальное легирование монослойного WSe2 на пьезоэлектрических подложках GaInP2 и GaN
Russian science foundation (RSF), № 24-29-00375
Аксенов В.Ю. 1, Анкудинов А.В.1, Власов А.С.1, Дунаевский М.С.1, Жмерик В.Н.1, Лебедев Д.В.1, Лихачев К.В.1, Перескокова В.А.1, Минтаиров А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: axenov.v@gmail.com, alex_ank@mail.ru, vlasov@scell.ioffe.ru, mike.dunaeffsky@mail.ioffe.ru, jmerik@pls.ioffe.rssi.ru, lebedev_84@mail.ru, kirilll28.1998@gmail.com, pereskokova.valeria@mail.ru, amintairov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 27 октября 2024 г.
Принята к печати: 27 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 28 ноября 2024 г.

Показано бесконтактное локальное легирование монослойного WSe2, перенесенного на пьезоэлектрические эпитаксиальные структуры на основе InP/GaInP2 и GaN, имеющие вариации поверхностного потенциала амплитудой ~ 0.1 В и размером ~ 0.2-1 мкм. Используя измерения поверхностного потенциала с помощью сканирующей зондовой микроскопии, а также измерения оптического отражения, фотолюминесценции и рамановской спектроскопии мы наблюдали вариации интенсивности излучения заряженного экситона (триона) и интенсивности рамановского рассеяния света на оптическом фононе, обусловленные вариациями поверхностного потенциала монослоев WSe2, что указывает на локальное легирование на уровне n~1012 см-2. Наши результаты могут быть использованы для создания вигнеровских квантовых точек в дихалькогенидах переходных металлов, что перспективно для реализации помехоустойчивых топологических квантовых вычислений при комнатной температуре и без магнитного поля. Ключевые слова: двумерные полупроводники, локальное легирование, оптическая спектроскопия, кельвин-зондовая микроскопия.