Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge2Sb2Te5
Фефелов С.А.1, Казакова Л.П.1,2, Богословский Н.А.1, Былев А.Б.2, Гущина Е.В.1, Толепов Ж.К.3, Жакыпов А.С.3, Приходько О.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
Email: s.fefelov@list.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 19 сентября 2024 г.
Принята к печати: 1 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 28 ноября 2024 г.
Проведены измерения вольт-амперных характеристик тонкопленочных образцов материала с фазовой памятью Ge2Sb2Te5 в режиме генератора тока. Исследовано влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик. Полученные данные свидетельствуют о повышении устойчивости электрических свойств Ge2Sb2Te5 при легировании висмутом с концентрацией 6.3 и 12.0 ат%. Установлено исчезновение колебаний напряжения после переключения при введении примеси Bi. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, Ge2Sb2Te5, память с изменяемым фазовым состоянием, легирование висмутом.
- Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 577 (2012)
- S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.I. Popov, I.L. Eremenko. Russ. Chem. Rev., 91 (9), RCR5033 (2022)
- Phase Change Memory. Device Physics, Reliability and Applications, ed. by A. Redaelli (Springer Cham, 2018)
- N. Li, C. Mackin, A. Chen, K. Brew, T. Philip, A. Simon, I. Saraf, J.-P. Han, S.G. Sarwat, G.W. Burr, M. Rasch, A. Sebastian, V. Narayanan, N. Saulnier. Adv. Electron. Mater., 9 (6), 2370030 (2023)
- K. Zhao, W. Han, Z. Han, X. Zhang, X. Zhang, X. Duan, M. Wang, Y. Yuan, P. Zuoet. Nanophotonics, 11 (13), 3101 (2022)
- Zh. Tolepov, O. Prikhodko, A. Kolobov, G. Ismailova, S. Peshaya, N. Guseinov, Y. Mukhametkarimov, A. Kapanov, S. Maksimova. J. Non-Cryst. Sol., 642, 123167 (2024)
- A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, D. Terekhov, S. Kozyukhin. Int. Conf. Mechanics, Materials and Structural Engineering (ICMMSE 2016)
- A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, O. Boytsova, A. Shuliatyev. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 127 (1), 283 (2016)
- S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko. Canadian J. Phys., 92 (7/8), 684 (2014)
- M. Wuttig, H. Bhaskaran, T. Taubner. Nature Photonics, 11 (8), 465 (2017)
- B. Gholipour, S.R. Elliott, M.J. Muller, M. Wuttig, D.W. Hewak, B.E. Hayden, Y. Li, S.S. Jo, R. Jaramillo, R.E. Simpson, J. Tominaga, Y. Cui, A. Mandal, B.J. Eggleton, M. Rochette, M. Rezaei, I. Alamgir, H.M. Shamim, R. Kormokar, A. Anjum, G.T. Zeweldi, T.S. Karnik, J. Hu, S.O. Kasap, G. Belev, A. Reznik. J. Phys. Photonics, 5, 012501 (2023)
- D.V. Christensen, R. Dittmann, B. Linares-Barranco, A. Sebastian, M. Le Gallo, A. Redaelli, S. Slesazeck, T. Mikolajick, S. Spiga, S. Menzel, I. Valov, G. Milano, C. Ricciardi, S.-J. Liang, F. Miao, M. Lanza, T.J. Quill, S.T. Keene, A. Salleo, J. Grollier, D. Markovic, A. Mizrahi, P. Yao, J.J. Yang, G. Indiveri, J.P. Strachan, S. Datta, E. Vianello, A. Valentian, J. Feldmann, X. Li, W. HP Pernice, H. Bhaskaran, S. Furber, E. Neftci, F. Scherr, W. Maass, S. Ramaswamy, J. Tapson, P. Panda, Y. Kim, G. Tanaka, S. Thorpe, C. Bartolozzi, T.A. Cleland, C. Posch, S. Liu, G. Panuccio, M. Mahmud, A.N. Mazumder, M. Hosseini, T. Mohsenin, E. Donati, S. Tolu, R. Galeazzi, M.E. Christensen, S. Holm, D. Ielmini, N. Pryds. Neuromorph. Comput. Eng., 2, 022501 (2022)
- F. Bruckerhoff-Pluckelmann, J. Feldmann, C.D. Wright, H. Bhaskaran, W.H.P. Pernice. J. Appl. Phys., 129, 151103 (2021)
- P. Narayanan, S. Ambrogio, A. Okazaki, K. Hosokawa, H. Tsai, A. Nomura, T. Yasuda, C. Mackin, S.C. Lewis, A. Friz, M. Ishii, Y. Kohda, H. Mori, K. Spoon, R. Khaddam-Aljameh, N. Saulnier, M. Bergendahl, J. Demarest, K.W. Brew, V. Chan, S. Choi, I. Ok, I. Ahsan, F.L. Lie, W. Haensch, V. Narayanan, G.W. Burr. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (12), 6629 (2021)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева. ЖТФ, 84 (4), 80 (2014)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Д. Арсова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, О.Ю. Приходько. ФТП, 50 (7), 958 (2016)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 52 (12), 1503 (2018)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid-State Electron., 129, 10 (2017)
- Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- Phase Change Materials Science and Applications, ed. by S. Raoux and M. Wuttig (N.Y., Springer, 2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
