Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 8 » Статья стр. 443
<<<>>>
Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge2Sb2Te5
Фефелов С.А.1, Казакова Л.П.1,2, Богословский Н.А.1, Былев А.Б.2, Гущина Е.В.1, Толепов Ж.К.3, Жакыпов А.С.3, Приходько О.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алматы, Казахстан
Email: s.fefelov@list.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 19 сентября 2024 г.
Принята к печати: 1 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 28 ноября 2024 г.
PDF версия
Проведены измерения вольт-амперных характеристик тонкопленочных образцов материала с фазовой памятью Ge2Sb2Te5 в режиме генератора тока. Исследовано влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик. Полученные данные свидетельствуют о повышении устойчивости электрических свойств Ge2Sb2Te5 при легировании висмутом с концентрацией 6.3 и 12.0 ат%. Установлено исчезновение колебаний напряжения после переключения при введении примеси Bi. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, Ge2Sb2Te5, память с изменяемым фазовым состоянием, легирование висмутом.
  1. Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 577 (2012)
  2. S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.I. Popov, I.L. Eremenko. Russ. Chem. Rev., 91 (9), RCR5033 (2022)
  3. Phase Change Memory. Device Physics, Reliability and Applications, ed. by A. Redaelli (Springer Cham, 2018)
  4. N. Li, C. Mackin, A. Chen, K. Brew, T. Philip, A. Simon, I. Saraf, J.-P. Han, S.G. Sarwat, G.W. Burr, M. Rasch, A. Sebastian, V. Narayanan, N. Saulnier. Adv. Electron. Mater., 9 (6), 2370030 (2023)
  5. K. Zhao, W. Han, Z. Han, X. Zhang, X. Zhang, X. Duan, M. Wang, Y. Yuan, P. Zuoet. Nanophotonics, 11 (13), 3101 (2022)
  6. Zh. Tolepov, O. Prikhodko, A. Kolobov, G. Ismailova, S. Peshaya, N. Guseinov, Y. Mukhametkarimov, A. Kapanov, S. Maksimova. J. Non-Cryst. Sol., 642, 123167 (2024)
  7. A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, D. Terekhov, S. Kozyukhin. Int. Conf. Mechanics, Materials and Structural Engineering (ICMMSE 2016)
  8. A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, O. Boytsova, A. Shuliatyev. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 127 (1), 283 (2016)
  9. S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko. Canadian J. Phys., 92 (7/8), 684 (2014)
  10. M. Wuttig, H. Bhaskaran, T. Taubner. Nature Photonics, 11 (8), 465 (2017)
  11. B. Gholipour, S.R. Elliott, M.J. Muller, M. Wuttig, D.W. Hewak, B.E. Hayden, Y. Li, S.S. Jo, R. Jaramillo, R.E. Simpson, J. Tominaga, Y. Cui, A. Mandal, B.J. Eggleton, M. Rochette, M. Rezaei, I. Alamgir, H.M. Shamim, R. Kormokar, A. Anjum, G.T. Zeweldi, T.S. Karnik, J. Hu, S.O. Kasap, G. Belev, A. Reznik. J. Phys. Photonics, 5, 012501 (2023)
  12. D.V. Christensen, R. Dittmann, B. Linares-Barranco, A. Sebastian, M. Le Gallo, A. Redaelli, S. Slesazeck, T. Mikolajick, S. Spiga, S. Menzel, I. Valov, G. Milano, C. Ricciardi, S.-J. Liang, F. Miao, M. Lanza, T.J. Quill, S.T. Keene, A. Salleo, J. Grollier, D. Markovic, A. Mizrahi, P. Yao, J.J. Yang, G. Indiveri, J.P. Strachan, S. Datta, E. Vianello, A. Valentian, J. Feldmann, X. Li, W. HP Pernice, H. Bhaskaran, S. Furber, E. Neftci, F. Scherr, W. Maass, S. Ramaswamy, J. Tapson, P. Panda, Y. Kim, G. Tanaka, S. Thorpe, C. Bartolozzi, T.A. Cleland, C. Posch, S. Liu, G. Panuccio, M. Mahmud, A.N. Mazumder, M. Hosseini, T. Mohsenin, E. Donati, S. Tolu, R. Galeazzi, M.E. Christensen, S. Holm, D. Ielmini, N. Pryds. Neuromorph. Comput. Eng., 2, 022501 (2022)
  13. F. Bruckerhoff-Pluckelmann, J. Feldmann, C.D. Wright, H. Bhaskaran, W.H.P. Pernice. J. Appl. Phys., 129, 151103 (2021)
  14. P. Narayanan, S. Ambrogio, A. Okazaki, K. Hosokawa, H. Tsai, A. Nomura, T. Yasuda, C. Mackin, S.C. Lewis, A. Friz, M. Ishii, Y. Kohda, H. Mori, K. Spoon, R. Khaddam-Aljameh, N. Saulnier, M. Bergendahl, J. Demarest, K.W. Brew, V. Chan, S. Choi, I. Ok, I. Ahsan, F.L. Lie, W. Haensch, V. Narayanan, G.W. Burr. IEEE Trans. Electron Dev., 68 (12), 6629 (2021)
  15. С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева. ЖТФ, 84 (4), 80 (2014)
  16. С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Д. Арсова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, О.Ю. Приходько. ФТП, 50 (7), 958 (2016)
  17. С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 52 (12), 1503 (2018)
  18. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  19. N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid-State Electron., 129, 10 (2017)
  20. Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  21. Phase Change Materials Science and Applications, ed. by S. Raoux and M. Wuttig (N.Y., Springer, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme