Вышедшие номера
Определение характерных времен формирования неоднородного профиля вакансионных дефектов в кремнии у границы раздела под действием электрического поля
Болотов В.В., Стучинский В.А.
Выставление онлайн: 20 июля 1988 г.

Путем измерения методом DLTS профилей концентрации A-центров, формирующихся в базе диодов Шоттки при облучении их электронами на импульсном ускорителе в условиях импульсного смещения диодов в обратном направлении, определены характерные времена tхар формирования неоднородного распределения дефектов под действием электрического поля. Зависимость tхар от параметров ОПЗ подтверждает дрейфовую модель происхождения профилей концентрации дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.