Реализован фототранзистор на n-p-n-гетероструктуре ZnSe-GaAs в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом в эмиттерном переходе. Проведены теоретические оценки предельного быстродействия такого фототранзистора. Экспериментально получена чувствительность 100 А/Вт на частоте 200 МГц.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.