Исследовалось влияние облучения большими дозами нейтронов [(0.2/2)· 10¹⁹ см^-2] и изохронного отжига (200-750^oС) на оптические и структурные свойства Si, легированного Ge [концентрация Ge (0.5/3)·10²⁰ см^-3]. Показано, что присутствие Ge в Si (в особенности при больших концентрациях) замедляет генерацию дивакансий и изменяет характер их отжига, замедляет отжиг дефектов, ответственных за краевое поглощение и деформационный пик в облученном Si, замедляет генерацию суперкластеров, образующихся в результате облучения и отжига. Делается вывод, что упругие напряжения, возникающие в Si из-за присутствия атомов Ge, уменьшают концентрацию вакансий, возникающих при облучении в области каскада соударений, и способствуют накоплению междоузельных атомов в кристалле Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.