Изучены спектроскопические параметры обусловленной комплексообразованием полосы ФЛ в сильно легированном эпитаксиальном GaAs<Ge> в диапазоне концентраций p=4.2·10¹⁷/3.5·10¹⁹ см^-3. Установлено, что ширина полосы с учетом точности определения во всем диапазоне концентраций остается неизменной. Положение максимума неизменно в диапазоне легирования p=4.2·10¹⁷/2·10¹⁹ см^-3 и смещается в низкоэнергетичную сторону при больших уровнях легирования. Интенсивность этой полосы квадратично зависит от уровня легирования, что свидетельствует, вероятно, о том, что эта полоса связана с комплексом либо Ge_As-Ge_Ga, либо Ge_As-V_As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.