Исследованы изменения люминесцентных и фотоэлектрических свойств сульфида кадмия в краевой области, обусловленные электромиграцией дефектов при комнатной температуре и полях 5·10²/2·10³ В/см. Полученные результаты свидетельствуют о перестройке центров рекомбинации и фоточувствительности типа донорно-акцепторных пар (ДАП). Для компонент ДАП определены коэффициенты диффузии и эффективные заряды. Показано, что электродиффузия дефектов и перестройка ДАП существенно влияют на фоточувствительность CdS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.