Рассмотрена кинетика релаксации туннельных токов через ОПЗ полупроводника с глубокими примесными уровнями (ГУ) в поверхностно-барьерных структурах при неравновесном обеднении. Показано, что процесс туннельной перезарядки ГУ может быть ответствен за долговременные релаксации нестационарных токов с временами, слабо зависящими от температуры. Туннельная эмиссия сопровождается движением в глубь ОПЗ фронта перезарядки ГУ, что приводит к квазигиперболическому закону спадания тока эмиссии при обеднении ступенчатым напряжением. В случае преобладания прыжковой проводимости между ГУ над эмиссией ток захвата электронов из валентной зоны полупроводника стабилизирует процесс эмиссии; при обратном соотношении (при возможном накоплении на поверхности полупроводника неосновных носителей) ток туннельной генерации спадает во времени по степенному закону, а при отсутствии такого накопления ток туннельной генерации либо спадает по степенному закону, либо возрастает до ограничения иными механизмами (в зависимости от параметров структуры). Приведены экспериментальные кривые релаксации тока, объясняемые процессом туннельной эмиссии электронов с ГУ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.