"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Релаксация фотоемкости в аморфных пленках As2Se3
Васильев И.А1, Шутов С.Д.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

В релаксации фотоемкости пленок a-As2Se3 обнаружены быстрая и медленная компоненты. Они приводят к двум спектрам плотности и сечений поглощения глубоких состояний, различающихся порогами и величиной. Быстрая компонента релаксации связывается с фотоэмиссией дырки с центра D+; обсуждается возможная природа медленной компоненты.
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (СПб., Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1996)
  • G.J. Adriaenssens. Phil. Mag. B, 62, 79 (1990)
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  • S.D. Shutov, A.A. Simashkevich. J. Non-Cryst. Sol., 176, 253 (1994)
  • M. Kuhn. Sol. St. Electron., 13, 873 (1970)
  • R.A. Street. Phys. Rev. B, 17, 3984 (1978)
  • G.J. Adriaenssens, M. Hammam, H. Michiel, J.M. Marshall. Sol. St. Commun., 45, 465 (1983)
  • S.G. Bishop, U. Strom, P.C. Taylor. Phys. Rev. B, 15, 2278 (1977)
  • J. Tauc, A. Menth. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 569 (1972)
  • D. Monroe, M.A. Kastner. Physica of Disordered Materials (N.Y.--London, 1985) p. 553
  • J.A. Freitas, Jr., U. Strom, S.G. Bishop. Phys. Rev. B, 35, 7780 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.