"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия
Колин Н.Г.1, Меркурисов Д.И.1, Соловьев С.П.2
1Филиал государственного научного центра Научно-исследовательского физико-химического института им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Изучена возможность ядерного легирования антимонида индия в широком диапазоне концентраций (5· 1014/1018 см-3) облучением нейтронами реактора; исследовано поведение электрофизических параметров материала при облучении и последующих термообработках. На основе сравнительного анализа качества ядерно-легированного и обычного InSb показана возможность практического использования ядерно-легированного материала.
  1. Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций (Новосибирск, Наука, 1981)
  2. Ш.М. Мирианашвили, Д.И. Нанобашвили, З.Г. Размадзе. ФТТ, 7, 3566 (1965)
  3. Л.К. Водопьянов, Н.И. Курдиани. ФТТ, 8, 72 (1966)
  4. В.Н. Брудный, Н.В. Каменская, Н.Г. Колин. В сб.: Электрические свойства сильно облученного InSb (Павлодар, АН СССР, 1989) ч. 2, с. 140
  5. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18, 2187 (1984)
  6. V.N. Brudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Phys. St. Sol. ( a), 132, 35 (1992)
  7. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32, 315 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.