"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия
Колин Н.Г.1, Меркурисов Д.И.1, Соловьев С.П.2
1Филиал государственного научного центра Научно-исследовательского физико-химического института им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
2Институт атомной энергетики, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Изучена возможность ядерного легирования антимонида индия в широком диапазоне концентраций (5· 1014/1018 см-3) облучением нейтронами реактора; исследовано поведение электрофизических параметров материала при облучении и последующих термообработках. На основе сравнительного анализа качества ядерно-легированного и обычного InSb показана возможность практического использования ядерно-легированного материала.
  • Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций (Новосибирск, Наука, 1981)
  • Ш.М. Мирианашвили, Д.И. Нанобашвили, З.Г. Размадзе. ФТТ, 7, 3566 (1965)
  • Л.К. Водопьянов, Н.И. Курдиани. ФТТ, 8, 72 (1966)
  • В.Н. Брудный, Н.В. Каменская, Н.Г. Колин. В сб.: Электрические свойства сильно облученного InSb (Павлодар, АН СССР, 1989) ч. 2, с. 140
  • Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП, 18, 2187 (1984)
  • V.N. Brudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Phys. St. Sol. ( a), 132, 35 (1992)
  • В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32, 315 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.