"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование поляризованной фотолюминесценции толстых эпитаксиальных слоев GaN
Жиляев Ю.В.1, Криволапчук В.В.1, Сафронов И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Исследовались поляризационные спектры фотолюминесценции нитрида галлия. Из анализа спектров следует, что неоднородное уширение линии излучения, имеющей значение полуширины больше 20 мэВ, может определяться дисперсией углов thetac осей симметрии различных кристаллитов, образующих эпитаксиальный слой GaN, по отношению к поверхности слоя. Вариация угла падения и фокусировки возбуждающего лазерного пучка, а также угла регистрации фотолюминесценции позволяет использовать поляризационные измерения фотолюминесценции для прецизионной диагностики качества слоев GaN.
  • H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  • M. Asif Khan, M.S. Shur, J.N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm, W. Shaff. Appl. Phys. Lett., 66, 1083 (1995)
  • Bao Oinncheng, Zhang Fungleng, Shi Ke, Dai Rensong, Xu Xurong. Sol. St. Commun., 59, 599 (1986)
  • R. Dingle, D.D. Shell, S.E. Stokowski, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 4, 1211 (1971)
  • W. Shan, T.J. Schmidt, X.H. Yang, S.J. Hwang, J.J. Song, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 66, 985 (1995)
  • D.G. Thomas, J.J. Hopfield. Phys. Rev., 128, 2135 (1962)
  • K. Domen, K. Horino, A. Kuramata, T. Tanahashi. Appl. Phys. Lett., 71, 1996 (1997)
  • I. Nikitina, V. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser., 147, 431 (San Diego, CA, 1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.