"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа PbTe
Мастеров В.Ф.1, Бондаревский С.И.1, Насрединов Ф.С.1, Серегин Н.П.1, Серегин П.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119mTe(119mSn) проведена идентификация примесных центров олова в решетках PbTe и PbS. Использование эмиссионного варианта мессбауэревской спектроскопии позволило стабилизировать примесные атомы олова в анионной подрешетке, т. е. получить дефекты типа антиструктурных. Обнаружена зависимость зарядового состояния смещенных из анионной подрешетки примесных атомов олова от положения уровня Ферми.
  • П.П. Серегин, П.В. Нистирюк. Применение эффекта Мессбауэра и фотоэлектронной спектроскопии в физике аморфных полупроводников (Кишинев, Штиинца, 1991)
  • В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, П.П. Серегин. ФТП, 31, 291 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.