"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние собственных дефектов на политипизм SiC
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Проведен анализ экспериментальных данных по влиянию собственных дефектов кристаллической решетки на политипизм карбида кремния. Получено простое аналитическое выражение, связывающее степень гексагональности политипа с концентрацией углеродных и кремниевых вакансий. Рассмотрена возможная зависимость параметров предложенной модели от условий эксперимента.
  1. L.S. Ramsdell. Amer. Mineral., 32, 64 (1947)
  2. Г. Хэпиш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
  3. H. Jagodzinskii. Acta Cryst. Camb, 2, 201 (1949)
  4. Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
  5. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
  6. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  7. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  8. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 197 (1994)
  9. Е.Ф. Шендер. ЖЭТФ, 70, 2251 (1976)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.