"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние собственных дефектов на политипизм SiC
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Проведен анализ экспериментальных данных по влиянию собственных дефектов кристаллической решетки на политипизм карбида кремния. Получено простое аналитическое выражение, связывающее степень гексагональности политипа с концентрацией углеродных и кремниевых вакансий. Рассмотрена возможная зависимость параметров предложенной модели от условий эксперимента.
  • L.S. Ramsdell. Amer. Mineral., 32, 64 (1947)
  • Г. Хэпиш, Р.М. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972)
  • H. Jagodzinskii. Acta Cryst. Camb, 2, 201 (1949)
  • Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  • Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 197 (1994)
  • Е.Ф. Шендер. ЖЭТФ, 70, 2251 (1976)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.