"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках GaAs (100) c использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe
Козловский В.И.1, Крыса А.Б.1, Садофьев Ю.Г.1, Турьянский А.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,б Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Напыление аморфного затравочного слоя ZnTe толщиной 10 нм с его последующей твердофазной кристаллизацией было использовано перед началом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев ZnTe на подложках GaAs (100). Картины дифракции отраженных быстрых электронов от ростовой поверхности образцов во время эпитаксии подтверждают, что при этом удалось избежать образования трехмерных зародышей и достигнуть двухмерного роста на ранней стадии эпитаксии. Проведенные исследования катодолюминесценции и рентгено-структурный анализ свидетельствуют о более высоком качестве слоев ZnTe, выращенных с применением аморфного затравочного слоя. Исследовано влияние соотношения потоков исходных элементов на катодолюминесценцию слоев ZnTe. Оптимизация режимов эпитаксии позволила вырастить квантово-размерные структуры ZnCdTe/ZnTe, эффективно излучающие в зеленой области спектра.
  • С.М. Пинтус, С.И. Стенин, А.И. Торопов, Е.М. Труханов. Препринт 5-86 (Новосибирск, ИФП СО АН СССР, НГУ, 1986)
  • Ю.Б. Болховитянов, Ю.Д. Ваулин, А.К. Гутаковский, С.И. Пенин, В.И. Юдаев. Изв. Ан СССР. Сер. физ., 44, 1238 (1980)
  • F. Kitagava, T. Mishima, K. Takahashi. J. Electrochem. Soc., 127, 937 (1980)
  • J.P. Faurie, J. Reno, S. Sivananthan, I.K. Sou, X. Chu, M. Boukerche, P.S. Wijewarnasuriya. J. Vac. Sci. Technol. B4, 585 (1986)
  • Y. Hishida, H. Ishii, T. Toda, T. Niina. J. Cryst. Growth, 95, 517 (1989)
  • T. Karasawa, K. Ohkava, T. Mitsuyu. J. Cryst. Growth, 95, 547 (1989)
  • T. Karasawa, K. Ohkava, T. Mitsuyu. Appl. Phys. Lett., 54, 117 (1989)
  • S. Nishi, H. Inomata, M. Akiyama, K. Kaminishi. Jap. J. Appl. Phys., 24, 391 (1985)
  • Y. Fukuda, Y. Kohama. J. Cryst. Growth, 81, 451 (1986)
  • H. Morcoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  • J.N. Kuznia, M. Asif Khan, D.T. Olson, R. Kaplan, J. Freitas. J. Appl. Phys., 73, 4700 (1993)
  • S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1705 (1991)
  • G. Kudlek, J. Gutowski. J. Luminesc., 52, 55 (1992)
  • В.И. Козловский, А.Б. Крыса. ФТТ, 35, 3087 (1993)
  • Y. Biao, M. Azoulay, M.A. Georg, A. Burger, W.E. Collins, E. Siberman, C.-H. Su, M.E. Volz, F.R. Szofran, D.C. Gilles. J. Cryst. Growth, 138, 219 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.