"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение и исследование гетеропереходов AgIn5S8 / (InSe, GaSe)
Боднарь И.В.1, Гременок В.Ф.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.4
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Показана возможность создания фоточувствительных гетеропереходов AgIn5S8 / (InSe, GaSe), в которых использованы объемные кристаллы, выращенные из расплава и газовой фазы, а также тонкие поликристаллические пленки тройного соединения, полученные методом импульсного лазерного испарения. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности гетеропереходов в зависимости от геометрии фоторегистрации. Сделан вывод о перспективе применения полученных структур в качестве широкополосных и селективных фотодетекторов.
  • H.W. Schock. Photovolt. Solar Energy Conf. and Exhibition, Amsterdam (H.S. Stephen Assoc, Bedfond, UK, 1994) p. 944
  • T. Negami. Abstructs 5th Int. Conf. POLYSE'98 (Schwabisch Gmund, Germany, 1998) p. 18
  • T. Walter, D. Braunger, H. Dittrich, Ch. Koble, R. Herberholz, H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 41/42, 355 (1996)
  • D. Schmid, M. Ruck, H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 41/42, 281 (1996)
  • V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', T. Walter, H.W. Schock. Inst. Phys. Conf. Ser., 152, 971 (1998)
  • A.N. Tiwari, S. Blunier, M. Filzmoser, H. Zogg, D. Schmid, H.W. Schock. Appl. Phys. Lett., 65, 3347 (1994)
  • K. Wakamura, S. Endo, T. Irie. Cryst. Res. Technol., 31-S2, 923 (1996)
  • Н.С. Орлова, И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая. Неорг. матер., 34, 13 (1998)
  • V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, I.V. Bodnar, I.V. Victorov. Cryst. Res. Technol., 31-S2, 485 (1996)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1975)
  • I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31-S1, 261 (1996)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Willey--Interscience Publ., 1981)
  • H.M. Мехтиев, Ю.В. Рудь, Э.Ю. Салаев. ФТП, 12, 924 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.