"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнение температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования p-n-структур и диодов Шоттки на основе GaAs
Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Лантратов В.М.1, Оболенский О.И.1, Петелина Т.В.1, Поссе Е.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Проведено сравнение температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования p-n- и m-s-структур на основе GaAs. В области энергий фотонов порядка ширины запрещенной зоны температурные зависимости p-n- и m-s-структур подобны. В области энергий фотонов, больших ширины запрещенной зоны, квантовая эффективность p-n-структур от температуры не зависит, в то время как квантовая эффективность m-s-структур проявляет сильную температурную зависимость. Дано качественное объяснение этому явлению.
  1. V.M. Andreev, V.V. Komin, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, M.Z. Shvarts. Proc. 1 st World Conf. on Photovoltaic Energy Conversation (Hawaii, 1994) p. 1824
  2. Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, E.A. Posse, B.V. Tsarenkov. Sensors and Actuators, A58, 121 (1997)
  3. Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 31, 563 (1997)
  4. Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, O.I. Obolensky, T.V. Petelina, E.A. Posse. J. Phys.: Condens. Matter., 10 (2) (1999)
  5. M.Z. Shvarts, O.I. Chosta, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov. Proc. 5th European Space Power Conf. (ESASP-416) (Tarragona, 1998) p. 513

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.