Вышедшие номера
Влияние нетермализованных электронов на фотопроводимость гетероструктур GaAs/AlGaAs при циклотронном резонансе
Мордовец Н.А.1, Котельников И.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Проведены измерения зависимости фотопроводимости от магнитного поля гетероструктур GaAs/AlGaAs с изменяемой концентрацией 2D-электронов при воздействии лазерного излучения с длиной волны 419 мкм. Сопоставление полученных данных с измерениями температурной зависимости магнетосопротивления позволило выделить составляющую фотосопротивления, связанную с вкладом нетермализованных возбужденных носителей. Обнаружен сдвиг пика сигнала такой фотопроводимости относительно пика поглощения в сторону больших магнитных полей. При этом положение и ширина фотопроводимости при циклотронном резонансе в этом диапазоне магнитных полей не зависят от фактора заполнения уровней Ландау.