Влияние нетермализованных электронов на фотопроводимость гетероструктур GaAs/AlGaAs при циклотронном резонансе
Мордовец Н.А.1, Котельников И.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Проведены измерения зависимости фотопроводимости от магнитного поля гетероструктур GaAs/AlGaAs с изменяемой концентрацией 2D-электронов при воздействии лазерного излучения с длиной волны 419 мкм. Сопоставление полученных данных с измерениями температурной зависимости магнетосопротивления позволило выделить составляющую фотосопротивления, связанную с вкладом нетермализованных возбужденных носителей. Обнаружен сдвиг пика сигнала такой фотопроводимости относительно пика поглощения в сторону больших магнитных полей. При этом положение и ширина фотопроводимости при циклотронном резонансе в этом диапазоне магнитных полей не зависят от фактора заполнения уровней Ландау.
- J.C. Maan, Th. Englert, D.C. Tsui et al. Appl. Phys. Lett., \bf 40, 609 (1982)
- R.E. Horstman, E.J. v.d. Broek, J. Wolter et al. Sol. St. Commun., \bf 50, 753 (1984)
- D. Stein, G. Ebert, K. von Klitzing et al. Surf. Sci., \bf 142, 406 (1984)
- G.L.J. Rikken, P. Wyder, K. Ploog et al. Surf. Sci., \bf 196, 303 (1988)
- Н.А. Мордовец, Н.А. Варванин, Н.Н. Котельников. \it Тез. I Всес. конф. по физике полупроводников (Н.Новгород, 1993) т. 1, с. 145
- G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, J.F. Koch et al. Phys. Rev. B, \bf 14, 2480 (1976)
- Н.А. Варванин, В.Н. Губанков, Н.Н. Котельников и др. ФТП, \bf 24, 635 (1990)
- M.A. Hopkins, R.J. Nicholas, D.J. Barnes et al. Phys. Rev. B, \bf 39, 13302 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук