Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики структур с дельта-легированием оловом вицинальных граней GaAs
Кадушкин В.И.1, Кульбачинский В.А.1, Богданов Е.В.1, Сеничкин А.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Синтезированы структуры с delta-легированием вицинальных граней GaAs оловом: GaAs(delta-Sn). Впервые с помощью delta-легирования оловом получена двумерная электронная система с достаточно высокими значениями подвижности. Исследованы вольт-амперные характеристики при температурах 300, 77 и 4.2 K в электрических полях E до 2000 В/см. Линейные зависимости плотности тока от электрического поля до E=2000 В/см объясняются сосуществованием в структурах GaAs(delta-Sn) двумерных электронов и квазиодномерных электронных каналов.
  1. H. Sakaki. In.: \it Localization and confimenet of electrons in semiconductors, ed. by F. Kuchar, H. Heeinrich, G. Bauer. Springer ser. \it Solid State Sci (Springer, Heidelberg, 1990) v. 97, p. 2
  2. F. Fukui, H. Saito, V. Tokura. Japan. J. Appl. Phys., \bf 27, L1320 (1988)
  3. R. Notzel, K.H. Ploog. Adv. Mater., 5, 22 (1993)
  4. А. де Виссер, В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, Е.Л. Шангина. Письма ЖЭТФ, \bf 59, 340 (1994)
  5. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23, 3 (1989)
  6. D.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitski. J. Phys. C, \bf 15, 7367 (1982)
  7. S. Yamada and T. Makimoto. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 1022 (1990)
  8. P.M. Koenraad, B.F.A. van Hest, F.A.P. Blom, R. van Dalen, M. Leys, J.A. Perenboom, J.H. Wolter. Physica B, \bf 177, 485 (1992)
  9. А.В. Волков, Ю.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
  10. K. Hirakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., \bf 49, 889 (1986)
  11. В.И. Кадушкин, А.А. Денисов, А.П. Сеничкин. ФТП, \bf 23, 1199 (1989)
  12. Г.М. Гусев, З.Д. Квон, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль, А.Г. Погосов. ФТП, \bf 25, 601 (1991)
  13. В.Г. Веселаго, М.В. Глушков, Ю.Г. Леонов, А.П. Шотов. ФТП, \bf 4, 1476 (1970)
  14. Э.Конуэлл. \it Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)
  15. M. Pugnet, J. Collet, A.Collet. Sol. St. Commun. \bf 38, 531 (1981)
  16. И.Г. Савельев, Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, \bf 21, 2056 (1987)
  17. M.E. Daniels, B.K. Ridley, M. Emeny. Sol. St. Electron., \bf 32, 4207 (1989)
  18. D.R. Leadley, R.J. Nocolas, J.J. Harriss, C.T. Foxon. Sol. St. Electron., \bf 32, 1473 (1988)
  19. В. Карпус. ФТП, 20, 12 (1986)
  20. Ю.М. Коган. ФТП, 4, 2474 (1962)
  21. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. \it Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  22. H. Sakaki, K. Hirakava, J. Koshino, S.P. Swensson, Y. Sekiguchi, T. Motta, S. Nishii, N. Miura. Surf. Sci., \bf 142, 306 (1984)
  23. B.K. Ridley. Rep. Progr. Phys., 54, 169 (1991)
  24. H. Temkin, G. Donald, M.B. Panish, S.N.G. Chu. J. Appl. Phys. Lett., \bf 50, 413 (1987)
  25. F. Meseguer, N. Mestres, J. Sanchez-Dehesa, C. Deparis, G. Neu, J. Massies. Phys. Rev. B, \bf 45, 6942 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.