Вышедшие номера
Об оптической активности полупроводниковых кристаллов CdSnAs 2 и CdGeP 2
Карымшаков Р.К.1
1Киргизский государственный университет,, Бишкек, Кыргызстан
Поступила в редакцию: 11 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Предлагается методика определения оптической активности кристаллов точечной группы 42m. Установлено, что для полупроводниковых кристаллов CdSnAs2 и CdSeP2 удельная оптическая активность подчиняется закону Био rho0=b/lambda2. Постоянная B равна 3.48 и 0.32 град·мкм для CdSnAs2 и CdGeP2 соответственно. В работе также найдена разность главных показателей преломления обыкновенного и необыкновенного лучей в кристалле CdGeP2.
  1. Дж. Най. \it Физические свойства кристаллов. (М., Мир, 1967)
  2. Г.А. Сухарулидзе, В.М. Тучкевич, Ю.И. Уханов, Ю.В. Шмарцев. ФТТ. \bf 8, 1159 (1966)
  3. Р.К. Карымшаков, Ю.И. Уханов, Ю.В. Шмарцев. ФТП. \bf 4, 362 (1970)
  4. А.В. Шубников. \it Оптическая кристаллография. (М.-Л., 1950)
  5. Р.К. Карымшатов. Автореф. канд. дис. (Ташкент, 1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.