Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)1-x(AlN)x-SiC
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 22 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Изучено влияние лазерного отжига на фотолюминесценцию гетерограницы (SiC)1-x(AlN)x-SiC. Показано, что в процессе отжига наблюдается диффузия атомов Al из пленки (SiC)1-x(AlN)x в SiC-подложку и образование акцепторов замещения Al Si, обусловливающих в приграничной области SiC фотолюминесценцию lambdamax=470 нм.
- Г.К. Сафаралиев. \it Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния (Баку, 1988)
- А.П. Здебский, В.Л. Корчная, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. Письма в ЖТФ, \bf 12, 76 (1986)
- Г.К. Сафаралиев, А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, С.А. Ашурбеков, Ш.А. Нурмагомедов, М.К. Курбнов. Письма в ЖТФ, \bf 14, 1095 (1988)
- \it Справочник по электротехническим материалам (Л., Энергоатомиздат, 1988) т. 3, с. 728
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. В сб.: \it Широкозонные полупроводники (М., 1988) с. 23
- Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров и др. Неорг. матер., \bf 28, 2011 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
