Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Перезарядка глубоких уровней накопленными при инжекции неосновными носителями тока
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Рассмотрено влияние накопленных в базе диода неосновных носителей тока при инжекции из p-n-перехода на степень заполнения глубоких уровней в слое объемного заряда при переключении напряжения на диоде с прямого на обратное. Показано, что при времени жизни tau>~= 1 мкс и плотности прямого тока Jf>~= 10 А/см2 дополнительная перезарядка центров, ответственных за глубокие уровни, может быть значительной и привести к ошибке в интерпретации результатов эксперимента.
- C.T. Sah. Sol. St. Electron., 19, 975 (1976)
- G.L. Miller, D.V. Lang, L.C. Kimerling. Ann. Rev. Mater. Sci., \bf 7, 377 (1977)
- V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- А.А. Лебедев. В сб.: \it Методы диагностики точечных дефектов в полупроводниках и приборных структурах на их основе (Наманган, 1990) с. 17
- С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
