Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства пленок сульфида свинца, подвергнутых радиационным воздействиям

Зайкина Р.Ф.¹, Зимин С.П.¹, Сарсембинов Ш.Ш.¹, Бочкарева Л.В.¹

¹Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия

Поступила в редакцию: 14 января 1993 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование электрических свойств пленок сульфида свинца с различными легирующими элементами, подвергнутых облучению высокоэнергетичными электронами с энергией 4 МэВ и ионами бора с энергией 50 кэВ. Слои сульфида свинца были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержали примесь натрия или кислорода. Из анализа температурных и дозовых зависимостей концентрации и подвижности носителей заряда вытекает, что присутствие в исходном материале даже небольших количеств легирующей примеси может существенно влиять на электрофизические параметры облученных пленок. Показана перспективность радиационных технологий для получения сильно компенсированных пленок сульфида свинца.

L. Palmetshofer. Appl. Phys. A, 34, 139 (1984)
G.L. Destefanis. J. Crys. Growth., 86, 700 (1988)
E.J. Bryant, D.M. Standte. Rad. Eff., 62, 69 (1982)
Р.Ф. Зайкина, И.А. Дрозд, Ш.Ш. Сарсембинов, В.О. Сигле. Физика и химия обраб. материалов, вып. 1, 23 (1990)
О.В. Горшкова, И.А. Дрозд, В.И. Стафеев. ФТП. \bf 26, 510 (1992)
Л.В. Бочкарева, О.В. Горшкова, И.А. Дрозд, С.П. Зимин, Е.Л. Корегина. \it Тез. докл. III Всес. конф. "Материаловедение халькогенидных полупроводников" (Черновцы, 1991) ч. 1, с. 195
А.Н. Вейс, В.И. Кайданов и др. ФТП, 14, 2349 (1980)
С.П. Зимин, Е.Л. Корегина, Л.В. Бочкарева. ФТП, \bf 27, 185 (1993)
М.М. Кондратенко, А.П. Лавренчук, Б.В. Орлецкий, К.Д. Товстюк, Я.И. Хухлин. Изв. вузов СССР. Физика, вып. 5, 148 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель