Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К распределению по размерам в трехмерных квантовых точечных кристаллах

Венгренович Р.Д.¹, Иванський Б.Д.¹, Стасик М.О.¹, Панько И.И.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 18 сентября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассчитана функция распределения наноточек по размерам в искусственных трехмерных квантовых точечных кристаллах (Si)Ge/Si и In(Ga)As/GaAs, полученных с использованием шаблонов с совершенной периодичностью. Наноточки пирамидальной формы моделировались конусообразными кластерами, для которых была получена формула Томсона, необходимая при выводе скорости роста (растворения) кластеров в процессе оствальдовского созревания. Из результатов сравнения теоретической кривой с экспериментальными гистограммами следует, что само распределение по размерам формируется в процессе оствальдовского созревания и обусловлено особенностями образования квантовых точек Ge и InAs на предварительно текстурированных подложках Si и GaAs.

X. Fang, T. Zhai, U.K. Gautan, L. Li, L. Wu, Y. Bando, D. Golbeg. Progr. Mater. Sci., 56, 175 (2011)
D.V. Talapin, J.-S. Lee, M.V. Kovalenko, E.V. Shevchenko. Chem. Rev., 110, 389 (2010)
I.N. Stranski, L. Krastanov. Sitz. Ber. Oesterr. Akad. Wiss., Meth.-Nat. wiss. Kl.II, 146, 797 (1938)
D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterstructures (Wiley, N.Y., 1999)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
A.V. Osipov, F. Schimitt, S.A. Kukushkin, P. Hess. Appl. Surf. Sci., 188, 156 (2002)
D. Grutzmacher, T. Fromherz, Ch. Dais, Ju. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H.H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wimtersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7, 3150 (2007)
S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 87, 243 112 (2005)
Z. Zhong, A. Halilovic, T. Fromherz, F. Schaftler, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 82, 4779 (2003)
J.L. Gray, S. Atha, R. Hull, J.A. Floro. Nano Lett., 4, 2447 (2004)
H. Lee, J.A. Johnson, J.S. Speck, P.M. Petroff. J. Vac. Sci. Technol., 18, 2193 (2000)
M.H. Baier, S. Watanabe, E. Pelucchi, E. Kapon. Appl. Phys. Lett., 84, 1943 (2004)
S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 88, 043 112 (2006)
O.G. Schmidt, K. Eberl. IEEE Trans. Electron Dev., 48, 1175 (2001)
O.G. Schmidt, N.Y. Jin-Phillipp, C. Lange, U. Denker, K. Eberl, R. Schreiner, H. Grabeldinger, H. Schweizer. Appl. Phys. Lett., 77, 4139 (2000)
A. Karmous, A. Cuenat, A. Ronda, I. Berbezier, S. Atha, R. Hull. Appl. Phys. Lett., 85, 6401 (2004)
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (СПб., Наука, 1996) c. 309
W. Ostwald. Zs. Phys. Chem., 34, 495 (1900)
И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958)
I.M. Lifshits, V.V. Slezov. J. Phys. Chem. Sol., 19, 35 (1961)
C. Wagner. Zs. Electrochem., 65, 581 (1961)
В.В. Слезов. ФТТ, 9, 1187 (1967)
В.В. Слезов, В.В. Сагалович. УФН, 151, 67 (1987)
Р.Д. Венгренович, Б.В. Иванский, А.В. Москалюк. ЖЭТФ, 131, 1040 (2007)
Р.Д. Венгренович, Б.В. Иванский, А.В. Москалюк. УФЖ, 53, 1102 (2008)
R.D. Vengrenovich, B.V. Ivanskii, A.V. Moskalyuk. Optoelectron. Rev., 18, 168 (2010)
Р.Д. Венгренович, Б.В. Иванский, М.О. Стасик. Металофiзика i новiтнi технологii, 32, 1085 (2010)
B.K. Chakraverty. J. Phys. Chem. Sol., 28, 2401 (1967)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
J.P. Hirth, G.M. Pound. Condensation and Evaporation, Progress in Materials Science, 11 (Pergamon Press, Oxford, 1963)
Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
R. Vengrenovich, B. Ivanskii, I. Panko, M. Stasyk. J. Phys. Chem. C, 117 (26), 13681 (2013)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171 (7),690 (2001)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
R.D. Vengrenovich. Acta Metal., 30, 1079 (1982)
В.Г. Дубровский. ФТП, 40 (10), 1153 (2006)
S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Rev. Prog. Phys., 72, 046 502 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель