"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы формирования фототока в гетеропереходах In2O3-InSe
Махний В.П.1, Янчук А.И.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 16 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследованы спектральные и интегральные характеристики гетеропереходов In2O3-InSe, полученных окислением подложек моноселенида индия. Установлено, что фототок определяется генерацией носителей в области пространственного заряда структуры через единичные глубокие уровни.
  1. Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, N 8, 68 (1986)
  2. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
  3. В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 18, 70 (1992)
  4. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
  5. В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖФТ, 23, 1 (1997)
  6. Z.D. Kovalyuk, V.N. Katerinchuk, T.V. Betsa. Opt. Mater., 17, 297 (2001)
  7. S. Shigetomi, H. Ohkubo, T. Ikari. J. Phys. Chem. Sol., 51 (1), 91 (1990)
  8. I. Cammasel, P. Merle, H. Mathieu, A. Chevy. Phys. Rev. B, 17, 4718 (1978)
  9. З.Д. Ковалюк, В.П. Махнiй, О.I. Янчук. Вiсник Львiвського унiверситету, 34, 218 (2001)
  10. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.