"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe
Бирюлин В.П.1, Дудко С.А.1, Коновалов С.А.1, Пелевин Ю.А.1, Туринов В.И.1
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

При исследовании границы раздела ZnS-CdxHg1-xTe с помощью C-V-характеристик МДП структур на спутниковых образцах в процессе изготовления n+-p-переходов на p-CdxHg1-xTe была получена плотность состояний в пределах Ns-0.2pts=(1-6)· 1011 см-2эВ-1 при T=78 K. Эксперименты показали, что технологические режимы, применяемые при изготовлении n+-p-переходов, слабо изменяют состояние границы раздела ZnS-CdHgTe. Причем отрицательные значения напряжения плоских зон VFB указывают (даже если первоначально после нанесения пленки ZnS было VFB>0) на обогащение приповерхностного слоя ZnS-p-CdHgTe основными носителями, дырками, что приводило к уменьшению тока утечки по поверхности. Получено было также, что при длительном сроке хранения (до ~15 лет) на воздухе при комнатной температуре у таких n+-p-переходов с защитной пленкой ZnS не деградировали дифференциальное сопротивление Rd, токовая чувствительность Si и обнаружительная способность D*.
  1. B.K. Janousek, R.C. Carscallen, P.A. Bertran. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1723 (1983)
  2. J.A. Wilson, V.A. Cotton. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 199 (1985)
  3. Y. Nemirovsky, L. Burstein, I. Kidron. J. Appl. Phys., 58, 366 (1985)
  4. Y. Nemirovsky, R. Adar, A. Kornfeld, I. Kidron. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 1986 (1986)
  5. N. Kajihara, G. Sudo, Y. Miyamoto, K. Tanikawa. J. Electrochem. Soc., 135, 1252 (1988)
  6. Y. Nemirovsky, G. Bahir. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 450 (1989)
  7. M.V. Whelan. Phil. Res. Rep., 20, 620 (1965)
  8. D.L. Carter, M.A. Kinch, D.D. Buss. J. Phys. Chem. Sol., Suppl 1, 32, 273 (1971)
  9. A. Campbell, C. Hayman. Proc. SPIE, 915, 79 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.