"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монокристаллического кремния
Баталов Р.И.1, Баязитов Р.М.1, Андреев Б.А.2, Крыжков Д.И.2, Теруков Е.И.3, Кудоярова В.Х.3
1Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследована фотолюминесценция слоев монокристаллического кремния (100), подвергнутого механической обработке (шлифовка и полировка). Обнаружен интенсивный сигнал фотолюминесценции при 77 K с максимумом при 0.83 эВ (1.5 мкм) и шириной линии 50 мэВ, появляющийся в результате термического отжига кристалла (800oC). Обсуждаются возможные причины возникновения этого сигнала, связанные с декорированием дислокаций примесными атомами.
  • H. Ennen, K. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  • H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haydl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
  • M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 58, 2696 (1985)
  • D. Leong, M. Harry, K.J. Reeson, K.P. Homewood. Nature, 387, 686 (1997)
  • Н.А. Дроздов, А.А. Патрин. Письма ЖЭТФ, 23 (11), 651 (1976)
  • V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  • V. Higgs. Sol. St. Phenomena, 32-33, 291 (1993)
  • E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol., 14, 582 (1999)
  • M.G. Grimaldi, S. Coffa, C. Spinella, F. Marabelli, M. Galli, L. Miglio, V. Meregalli. J. Luminecs., 80, 467 (1999)
  • N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. J. Luminecs., 80, 357 (1999)
  • E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
  • V. Higgs, E.C. Lightowlers, G. Davies, F. Schaffler, E. Kasper. Semicond. Sci. Technol., 4, 593 (1989)
  • V. Higgs, M. Goulding, A. Brinklow, P. Kightley. Appl. Phys. Lett., 60, 1369 (1992)
  • A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 70, 489 (2000)
  • Я.А. Угай, И.В. Кириченко, К.Р. Курбанов. Изв. АН СССР, 8 (2), 209 (1972)
  • T.J. Magee, C. Leung, H. Kawayoshi, B.K. Furman, C.A. Evans. Appl. Phys. Lett., 38, 891 (1981)
  • J. Chen, I. De Wolf. Semicond. Sci. Technol., 18, 261 (2003)
  • S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.