"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монокристаллического кремния
Баталов Р.И.1, Баязитов Р.М.1, Андреев Б.А.2, Крыжков Д.И.2, Теруков Е.И.3, Кудоярова В.Х.3
1Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследована фотолюминесценция слоев монокристаллического кремния (100), подвергнутого механической обработке (шлифовка и полировка). Обнаружен интенсивный сигнал фотолюминесценции при 77 K с максимумом при 0.83 эВ (1.5 мкм) и шириной линии 50 мэВ, появляющийся в результате термического отжига кристалла (800oC). Обсуждаются возможные причины возникновения этого сигнала, связанные с декорированием дислокаций примесными атомами.
  1. H. Ennen, K. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  2. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haydl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
  3. M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 58, 2696 (1985)
  4. D. Leong, M. Harry, K.J. Reeson, K.P. Homewood. Nature, 387, 686 (1997)
  5. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин. Письма ЖЭТФ, 23 (11), 651 (1976)
  6. V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  7. V. Higgs. Sol. St. Phenomena, 32-33, 291 (1993)
  8. E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol., 14, 582 (1999)
  9. M.G. Grimaldi, S. Coffa, C. Spinella, F. Marabelli, M. Galli, L. Miglio, V. Meregalli. J. Luminecs., 80, 467 (1999)
  10. N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. J. Luminecs., 80, 357 (1999)
  11. E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
  12. V. Higgs, E.C. Lightowlers, G. Davies, F. Schaffler, E. Kasper. Semicond. Sci. Technol., 4, 593 (1989)
  13. V. Higgs, M. Goulding, A. Brinklow, P. Kightley. Appl. Phys. Lett., 60, 1369 (1992)
  14. A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys. A, 70, 489 (2000)
  15. Я.А. Угай, И.В. Кириченко, К.Р. Курбанов. Изв. АН СССР, 8 (2), 209 (1972)
  16. T.J. Magee, C. Leung, H. Kawayoshi, B.K. Furman, C.A. Evans. Appl. Phys. Lett., 38, 891 (1981)
  17. J. Chen, I. De Wolf. Semicond. Sci. Technol., 18, 261 (2003)
  18. S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.