"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности электропроводности монокристаллов Cd1-xZnxTe и Cd1-xMnxTe
Косяченко Л.А.1, Марков А.В.1, Маслянчук Е.Л.1, Раренко И.М.1, Склярчук В.М.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 21 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Исследованы электрические характеристики монокристаллов Cd1-xZnxTe (x=0.05) и Cd1-xMnxTe (x=0.04) p-типа проводимости с удельным сопротивлением 103-1010 Ом·см (300 K). Проводимость и ее изменение с температурой интерпретируются на основе статистики электронов и дырок в полупроводнике с глубокими акцепторными примесями (дефектами) с учетом их компенсации донорами. Найдена глубина акцепторных уровней и степень их компенсации. Обсуждаются проблемы достижения проводимости, близкой к собственной.
  • Y. Eisen, A. Shor. J. Cryst. Growth. 184/185, 1302 (1998)
  • Y. Eisen, I. Mardor, A. Shor. Nucl. Instrum. Meth., A428, 158 (1999)
  • M.R. Squillante, L. Cirignano, R. Grazioso. Nucl. Instrum. Meth., A458, 288 (2001)
  • M. Fiederle, D. Ebling, C. Eiche, P. Hug, W. Jorger, M. Laash, R. Schwarz, M. Salk, K.W. Benz. J. Cryst. Growth, 146, 142 (1995)
  • D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth., A380, 117 (1996)
  • Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 37, 238 (2003)
  • S.S. Devlin. In: Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland Publishing Company, N.Y., 1967) p. 418. [Русск. пер.: С.С. Девлин. В кн.: Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)]
  • I. Turkevych, R. Grill, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl, P. Moravec. Semicond. Sci. Techn., 17, 1064 (2002)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni. J. Appl. Phys., 83, 2121 (1998)
  • B.K. Meyer, P. Omling, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Phys. Rev. B, 46, 15 135 (1992)
  • К Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  • Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  • E.J. Jonson, J.A. Kafalas, R.W. Davies. J. Appl. Phys., 54, 204 (1983)
  • M. Fiederle, C. Eiche, M. Salk, R. Sehwarz, K.W. Benz, W. Stadler, D.M. Hofmann, B.K. Meyer. J. Appl. Phys., 84, 6689 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.