"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия
Рожков А.В.1, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Представлены экспериментальные результаты исследования динамики восстановления диодов на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев. Изученные диоды принадлежат к классу дрейфовых диодов с резким восстановлением и предназначены для работы в схемах формирования и генерирования пикосекундных импульсов. Полученные значения скорости восстановления обратного напряжения (dU/dt~ 2000 В/нс) значительно превосходят предельные скорости восстановления известных нам пикосекундных диодов с накоплением заряда и являются рекордными для дрейфовых диодов с резким восстановлением.4234
  • И.В. Грехов, В.М. Ефанов, А.Ф. Кардо-Сысоев, С.В. Шендерей. Письма ЖТФ, 9 (7), 435 (1983)
  • A.F. Kardo-Sysoev. In: Ultra wide Band Rada Technology, ed. by D. Taylor (Baca Raton, London, N.-Y., Washington, D.C. CRC Press, 2001) ch. 9
  • V.A. Kozlov, I.A. Smirnova, S.A. Moryakova, A.F. Kardo-Sysoev. Proc. 25th Int. Power Modulator Conference PMC 2002 (Hollywood, CA, 2002) p. 441
  • В.И. Корольков, А.В. Рожков, Л.А. Петропавловская. Письма ЖТФ, 27 (17), 46 (2001)
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28 (13), 24 (2002)
  • V.A. Kozlov, I.A. Smirnova, S.A. Moryakova, A.F. Kardo-Sysoev. Book of abstracts of the 13th Int. Conf. CrimMiCo 2003 (Sevastopol, 2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.