"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров Д.А.1, Зорина С.А.1, Капитонов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Фетисова Н.В.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов (МОС-гидридной эпитаксии) были получены лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов GaInAsP/GaInP/AlGaInP. Конструкция лазерной структуры была выбрана на основании расчета разрывов зон на гетерогранице в активной области волновода. На мезаполосковых лазерных диодах с шириной полоска W=5 мкм была получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 320 мВт с длиной волны излучения 780 нм.
  • J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, J.A. Morris. Electron. Lett., 34, 1100 (1998)
  • A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzow, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
  • L.J. Mawst, S. Rusli, A. Al-Muhanna, J.K. Wade. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5, 785 (1999)
  • R. Kudela, M. Morvic. Phys. St. Sol. (a), 95, K1 (1986)
  • Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов. ФТП, 34, 1307 (2000)
  • W.E. Plano, K.S. Major, D.F. Welch. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 465 (1994)
  • T. Fukunaga, M. Wada, H. Asano, T. Hayakawa. Jap. J. Appl. Phys., 34, L1175 (1995)
  • G. Erbert, F. Bugge, A. Knauer, J. Sebastian, A. Thies, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5, 780 (1999)
  • J. Sebastian, G. Beister, F. Bugge, F. Buhrandt, G. Elbert, H.G. Hansel, R. Hulswede, A. Knauer, W. Pittroff, R. Staske, M. Schroder, H. Wenzel, M. Weyers, C. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 7, 334 (2001)
  • F. Agahi, K.M. Lau, H.K. Choi, A. Baliga, N.G. Anderson. IEEE Phot. Techn. Lett., 7, 140 (1995)
  • N. Tansu, D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE Phot. Techn. Lett., 12, 603 (2000)
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  • R.E. Nahory, M.A. Pollack, W.D. Johnston, jr., R.L. Barns. Appl. Phys. Lett., 33, 659 (1978)
  • S. Mukai. J. Appl. Phys., 54, 2635 (1983)
  • E. Kuphal. J. Cryst. Growth., 67, 441 (1984)
  • Н.А. Берт, Л.С. Вавилова И.П. Ипатова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, А.А. Ситникова, И.С. Тарасов, В.А. Щукин. ФТП, 33, 544 (1999)
  • S. Mukai, M. Matsuzaki, J. Shimada. Jap. J. Appl. Phys., 19, L505 (1980)
  • M. Quillec, C. Daguet, J.L. Benchimol, H. Launios. Appl. Phys. Lett., 40, 325 (1982)
  • M.O. Watanabe, Y. Ohba. Appl. Phys. Lett., 50, 906 (1987).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.