Вышедшие номера
Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов
Гребенщикова Е.А.1, Именков А.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Данилова Т.Н.1, Черняев А.В.1, Власенко Н.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Сообщаются результаты исследования светодиодов, работающих в средней инфракрасной области спектра (lambda=1.7-1.9 мкм). Подложечная часть светодиодных кристалликов на основе GaSb после химической огранки приобрела конусно-пирамидальную форму, и число граней кристаллика увеличилось с 6 до 10. Исследование спектров излучения и диаграмм направленности показало, что химическая огранка кристаллика увеличивает внешний квантовый выход излучения и делает диаграмму направленности почти полусферической.