Si n- и p-типа проводимости имплантировался ионами F⁺ с энергией 200 кэВ при дозах (1-8)·10¹³ см^-2 и с энергией 300 кэВ при дозе 3·10¹⁵ см^-2. После имплантации образцы подвергались изохронному отжигу в атмосфере аргона при температурах в интервале 400-1100^oC. Обнаружено, что постимплантационный отжиг сопровождался изменением концентрации носителей заряда и их зарядового состояния. Дополнительные носители заряда наблюдались как в имплантированной области, так и в области, существенно превышающей глубину имплантированного слоя. В работе показано, что имплантация ионов F⁺ в кремний обоих типов проводимости и последующая термообработка приводят к образованию электрически активных комплексов, природа и концентрация которых существенным образом зависят от дозы имплантации и температуры отжига. Форма профилей носителей заряда, совпадающая с распределением фтора, и исследовавшаяся дозовая зависимость указывают на то, что образование дополнительных носителей заряда обусловлено ионизацией комплексов, содержащих фтор. Проведенные измерения показали, что концентрация дополнительных носителей не превышает нескольких процентов от объемной концентрации фтора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.