"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние радиационного облучения на люминесценцию кристаллов CdP2
Федотов В.Г.1, Гатальский Г.В.1, Трухан В.М.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Белорусской академии наук,, Минск, Беларусь
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Изучено влияние радиационного облучения электронами с энергией 4 МэВ и gamma-квантами 60Co на спектры люминесценции beta-CdP2. Обнаружено влияние оксидного слоя (CdO) на спектры люминесценции в диапазоне 2.2/2.5 эВ. Высказывается предположение о возможности поверхностно усиленного радиационного упорядочения, что приводит к восстановлению сверхструктуры на поверхности кристалла в плоскости [010] и появлению поверхностной люминесценции в диапазоне 2.14/2.2 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.