"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационное распухание и распыление CdxHg1-xTe при имплантации ионов в больших дозах
Ибрагимова М.И.1, Петухов В.Ю.1, Хайбуллин И.Б.1
1Казанский физико-технический институт,, Казань, Татарстан
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Изучено влияние бомбардировки на изменение объема приповерхностного слоя и микрорельефа поверхности CdxHg1-xTe в зависимости от режимов и условий имплантации. Эти изменения объяснены с учетом двух факторов: вакансионного радиационно-стимулированного распухания и распыления. Обнаружено, что химическая природа бомбардирующих ионов влияет на геометрические размеры и плотность неоднородностей на поверхности CdxHg1-xTe. Образующиеся в процессе имплантации CdxHg1-xTe выступы и впадины значительно увеличивают коэффициент распыления, до десятков раз.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.