Для двумерного электронного газа в гетероструктурах InP/In_0.53Ga_0.47As, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии, проведены измерения гальваномагнитных эффектов в области гелиевых температур: холловской подвижности, осциллирующего магнитосопротивления в квантующем магнитном поле, перпендикулярном гетерогранице, и отрицательного магнитосопротивления в слабом магнитном поле, параллельном двумерному слою. Определено квантовое время, характеризующее затухание осцилляций Шубникова-де-Гааза из-за столкновительного уширения магнитных подзон. Выяснены механизмы рассеяния, определяющие величину как транспортного (tau), так и квантового (tau_q) времен. Главными из них оказались: для tau_q - кулоновское рассеяние на заряженных центрах, для tau - на шероховатостях гетерограницы. Средний размер шероховатостей delta в направлении, перпендикулярном гетерогранице, найден из анализа отрицательного магнитосопротивления. Совместное решение уравнений для tau и tau_q позволило определить для каждого из образцов N_z - концентрацию заряженных дефектов на гетерогранице и Lambda - средний период шероховатостей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.