"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные минизоны в сверхрешетках (GaAs)N(AlAs)M при четном и нечетном M
Алейнер И.Л.1, Ивченко Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Проанализированы граничные условия для огибающих метода эффективной массы, накладываемые на гетеропереходы сверхрешетки GaAs/AlAs. Указанные условия позволяют получить зависимость эффекта Gamma X-смешивания от четности числа монослоев в слое AlAs. Найдена дисперсия электронов для двух нижних минизон в области перехода сверхрешетки от типа I к типу II.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.