"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Послойное исследование ионно-имплантированного кремния методами эллипсометрии и избирательного смачивания
Бахтурова Л.Ф.1, Баковец В.В.1, Долговесова И.П.1, Аюпов Б.М.1
1Институт неорганической химии Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Методами многоугловой эллипсометрии (длина волны света 632.8 нм) и избирательного смачивания получены профили изменения показателя преломления, коэффициента экстинкции и контактного угла смачивания поверхности при послойном удалении кремния, имплантированного ионами 40Ar+ (доза 1015 см-2) и 31P+ (доза 1016 см-2) с энергией 40 кэВ. Авторы считают, что изменение коэффициента поглощения и угла смачивания по глубине имплантированного образца соответствует профилю распределения дефектов. Профиль изменения показателя преломления обусловлен совместным влиянием дефектов и имплантированной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.