"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Твердофазное разложение GaAs при действии лазерного излучения пороговой плотности
Дмитриев А.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.

Определена температура поверхности кристаллов арсенида галлия при облучении импульсами лазера пороговой плотности, при которой происходит изменение морфологии полированной поверхности. Эта температура оказалась около 900 K, что значительно ниже температуры плавления арсенида галлия. При определении температуры использована методика, основанная на изучении релаксации нестационарной проводимости облучаемого кристалла. При этом использовано то обстоятельство, что температура перехода от примесной проводимости к собственной, которая, как известно, определяется уровнем легирования, может рассматриваться в качестве реперной, а превышение ее в процессе облучения сопровождается появлением длинновременной составляющей на кривой релаксации нестационарной проводимости. Это позволило, используя набор кристаллов с различными концентрациями электронов, определить температуру на поверхности при интересующей плотности потока облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.