"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te
Косяченко Л.А.1, Склярчук В.М.1, Склярчук О.В.1, Маслянчук О.Л.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2011 г.

Оптическими методами определена ширина запрещенной зоны Eg кристаллов CdTe и Cd0.9Zn0.1Te, а также ее температурная зависимость. Это мотивировано значительной разноречивостью литературных данных, затрудняющих интерпретацию и расчет характеристик детекторов X- и gamma-излучения на основе этих материалов (Eg=1.39-1.54 и 1.51-1.6 эВ для CdTe и Cd0.9Zn0.1Te соответственно). Используемая методика определения Eg проанализирована с точки зрения влияния факторов, приводящих к неточностям определения ее значения. Измерения проведены на хорошо очищенных и совершенных образцах. Полученные данные для CdTe (Eg=1.47-1.48 эВ) и Cd0.9Zn0.1Te (Eg=1.52-1.53 эВ) при комнатной температуре существенно сужают интервал точности определения значений Eg.
  • Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.М. Рывкин, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 36, 1146 (1996)
  • J.F. Butler, C.L. Lingren, F.P. Doty. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 605 (1992)
  • R.H. Bube. Phys. Rev., 98, 431 (1955)
  • C. Konak. Phys. Status. Solidi. 3, 1274 (1963)
  • M. Cardona, K. Shaklee, F. Pollak. Phys. Rev., 154, 697 (1967)
  • S. Del Soldo, L. Abbene, E. Caroli, A. Mancini, A. Zappettini, P. Ubertini. Sensors, 9 (5), 3491 (2009)
  • Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ed. by S. Kasap, P. Capper (Springer Science, N.Y., 2006)
  • A. Owens, A. Peacock. Nucl. Instr. Meth., A531, 18 (2004)
  • T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 950 (2001)
  • J. Franc, P. Hli dek, P. Moravec, E. Belas, P. Hoschl, L. Turjanska, R. Varghov'a. Semicond. Sci. Technol, 15, 561 (2000)
  • S.M. Johnson, S. Sen, W.H. Konkel, M.H. Kalisher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (3), 1897 (1991)
  • A.J. Syllaios, P.K. Liao, B.J. Greene, H.F. Schaake, H.Y. Liu, G. Westphal. J. Electron. Mater., 26, 567 (1997)
  • D.T.F. Marple. Phys. Rev., 150, 728 (1966)
  • J. Singh. Physics of Semiconductors and Their Heterostructures (McGraw-Hill, N.Y., 1993)
  • П.С. Киреев, Л.В. Волкова, В.В. Волков, Ю.В. Платонов. ФТП, 6 (1), 135 (1971)
  • D.J. Olego, J.P. Faurie, S. Sivananthan, P.M. Raccah. Appl. Phys. Lett., 47, 1172 (1985)
  • P. Fougeres, P. Siffert, M. Hageali, J.M. Koebel, R. Regal. Nucl. Instr. Meth., A428, 38 (1999)
  • K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, O.N. Strilchuk. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 6 (2), 121 (2003)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83 (4), 2121 (1998)
  • M. Prokesch, C. Szeles. J. Appl. Phys., 100, 014 503 (2006)
  • J.L. Reno, E.D. Jones. Phys. Rev. B. 45, 1440 (1992)
  • E. Lopez-Cruz, J. Gonzalez-Hernandez, D. Dallred, W.P. Allred. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1934 (1990)
  • N. Bottka, J. Stankiewicz, W. Giriat. J. Appl. Phys., 52 (6), 41 (1981)
  • H. Kuzmany. Solid-State Spectroscopy: An Introduction (Springer-Verlag: Berlin--Heidelberg--N.Y., 1998)
  • E.J. Johnson. In: Semiconductors and Semimetals ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y., 1967) v. 3, p. 153
  • J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Prentice--Hall, N.J., 1971)
  • M. Fox. Optical properties of Solids (Oxford University Press, N.Y., 2001)
  • T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jpn. Appl. Phys., 32, 3496 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.