"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы протекания тока в омических контактах металл--полупроводник О б з о р
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 января 2007 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2007 г.

Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл--полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа AIIBVI (ZnSe, ZnO), AIIIBV (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), AIV (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. В омических контактах на основе слабо легированных полупроводников основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия, причем высота потенциального барьера металл--полупроводник составляет чаще всего 0.1-0.2 эВ. В омических контактах на основе сильно легированных полупроводников протекание тока осуществляется за счет полевой эмиссии, а высота потенциального барьера металл--полупроводник равна примерно 0.3-0.5 эВ. В сплавных In-контактах к GaP и GaN проявляется механизм протекания тока, не характерный для диодов Шоттки, --- протекание тока по металлическим шунтам, образованным за счет осаждения атомов металла на дислокациях или других несовершенствах в полупроводнике. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 81.40.Ef
  • W. Schottky. Z. Phys., B118 (9/10), 539 (1942)
  • J. Bardeen. Phys. Rev., 71 (10), 717 (1947)
  • W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Si. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019 (1980)
  • A.K. Henish. Rectifying semiconductor contacts (Claredon Press, Oxford, 1957)
  • А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатом, 1987)
  • Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28 (10), 1681 (1994)
  • R.H. Cox, H. Strack. Sol. St. Electron., 12, 89 (1969)
  • G.K. Reeves. Sol. St. Electron., 23, 477 (1980)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1975)
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982). [Пер. с англ.: Е.Н. Rhoderich. Metal--Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978)]
  • C.A. Mead. Sol. St. Electron., 9 (11/12), 1023 (1966)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley, 1981)]
  • A. Peotrowska. Thin Sol. Films, 193/194, 511 (1990)
  • K. Ip, G.T. Thaler, Hyucksoo Yang, Sang Youn Han, Yuanjie Li, D.P. Norton, S.J. Pearton Soowhan Jang, F. Ren. J. Cryst. Growth, 287 (1), 149 (2006)
  • W. Faschinger. J. Cryst. Growth, 197 (3), 557 (1999)
  • M. Murakami, Y. Koide. Critic. Rev. Sol. St. and Mater. Sci., 23 (1), 1 (1998)
  • L.M. Porter, R.F. Davis. Mater. Sci. Engin. B, 34 (2--3), 83 (1995)
  • K. Das, V. Venkatesan, K. Miyata, D.L. Dreifus, J.T. Glass. Thin Sol. Films, 212 (1--2), 19 (1992)
  • Wu Dingfen, K. Heime. Electron. Lett., 18, 940 (1982)
  • Wu Dingfen, W. Dening, Kl. Heime. Sol. St. Electron., 29, 489 (1987)
  • R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 3623 (1991)
  • F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  • Y.-C. Shic, M. Murakami, W.H. Price. J. Appl. Phys., 65, 3539 ( 1989)
  • C.-F. Lin, D.B. Ingerly, Y.A. Chang. Appl. Phys. Lett., 69 (23), 3543 (1996)
  • R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 362 (1991)
  • М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  • A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  • C.Y. Chang, Y.K. Fang, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 14, 541 (1971)
  • S.M. Cho, J.D. Lee, H.H. Lee. J. Appl. Phys., 70 (1), 282 (1991)
  • F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  • Nien-Po Chen, H.J. Ueng, D.B. Janes, J.M. Woodall, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88 (1), 309 (2000)
  • D. Qiao, L.S. Yu, L. Jia, P.M. Asbeck, S.S. Lau, T.E. Haynes. Appl. Phys. Lett., 80 (6), 992 (2002)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 52 (2006)
  • J. Narayan, P. Tiwari, X. Chen, J. Singh, R. Chowdhury, T. Zheleva. Appl. Phys. Lett., 61 (11), 1290 (1992)
  • E.J. Miller, D.M. Schaadt, E.T. Yu, X.L. Sun, L.J. Brillson, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 94 (12), 7611 (2003)
  • E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 535 (2004)
  • Chin-Yuan Hsu. Jap. J. Appl. Phys., 44 (10), 7424 (2005)
  • L. Wang, F.M. Mohammad, J. Adeside. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 14 915 (2005)
  • Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 20 (8), 1510 (1986)
  • Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, М.И. Ильина, Е.А. Поссе. ФТП, 22 (3), 555 (1988)
  • Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ЖТФ, 71 (9), 61 (2001)
  • P. Visconti, K.M. Jones, M.A. Reshchikov, R. Cingolany, H. Morkoc, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3532 (2000)
  • Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapore, World Scientific, 1996 (v. 1), 1999 (v. 2) )
  • Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N. Y., John Wiley ans Sons, 2001)
  • J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2657 (1995)
  • А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова. ФТП, 29, 1833 (1995)
  • M. Sawada, T. Sawada, Y. Yanagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Lizuka, H. Tomozawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Sem. (Tokushino, Japan, 1997) p. 706
  • В.Ю. Денисов, А.А. Клочихин. ФТП, 38 (8), 897 (2004)
  • Lu-Min Liu, Gr. Lindauer, W. Brock Alexander, Paul H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (6), 2236 (1995)
  • J.J. Fijol, J.T. Trexier, L. Calhoun, R.M. Park, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (1), 159 (1996)
  • T. Miyajima, H. Okuyama, K. Akimoto. Jap. J. Appl. Phys., 31 (12B), L1743 (1992)
  • K. Akimoto, T. Miyajima, H. Okuyama, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 115 (1--4), 683 (1991)
  • Y.X. Wang, P.H. Holloway. Vacuum, 43 (11), 1149 (1992)
  • M.R. Park, W.A. Anderson, M. Jeon, H. Luo. Sol. St. Electron., 43 (1), 113 (1999)
  • R.G. Dandrea, C.B. Duke. Appl. Phys. Lett., 64 (16), 2145 (1994)
  • P.M. Mensz. Appl. Phys. Lett., 64 (16), 2148 (1994)
  • F. Vigue, P. Brunet, P. Lorenzini, E. Tourniee, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 75 (21), 3345 (1999)
  • R. Schwarz, Th. Studnitzky, Fr. Goesmann, R. Schmid-Fetzer. Sol. St. Electron., 42 (1), 139 (1998)
  • S. Einfeldt, H. Heinke, M. Behringer, C.R. Becker, E. Kurtz, D. Hommel, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 138 (1--4), 471 (1994)
  • Y. Lansari, J. Ren, B. Sneed, K.A. Bowers, J.W. Cook, jr., J.F. Schetzina. Appl. Phys. Lett., 61 (21), 2554 (1992)
  • F. Hiei, M. Ikeda, M. Ozawa, T. Miyajima, A. Ishibashi, K. Alimoto. Electron Lett., 29 (10), 878 (1993)
  • K. Akimoto, T. Miyajima, H. Okuyama, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 115 (1--4), 683 (1991)
  • J.J. Chen, T.J. Anderson, S. Jang, F. Ren, Y.J. Li, H.-S. Kim, B.P. Gila, D.P. Norton, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 153 (5), G462 (2006)
  • B. Ghosh, N.K. Mondal, P. Banerjee, J. Pal, S. Das. IEEE Trans. Electron. Dev., 49 (12), 2352 (2002)
  • Z. Yang, J.F. Schetzina. J. Electron Mater., 23 (10), 1071 (1994)
  • S. Miller, P.H. Holloway. J. Electron. Mater., 25 (11), 1709 (1996)
  • J. Rennie, M. Onomura, S. Nunoue, G. Hatakishi, H. Sugawara, M. Ishikawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Sem. (Tokushino, Japan, 1997) p. 711
  • D.-W. Kim, H.K. Baik. Appl. Phys. Lett., 77 (7), 1011 (2000)
  • H. Morkoc, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76 (3), 1363 (1994)
  • M.E. Lin, Z. Ma, F.Y. Huang, Z.F. Fan, L.H. Allen, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 64 (8), 1003 (1994)
  • S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstract of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
  • T. Gessmann, Y.L. Li, E.L. Waldron, J.W. Graff, E.F. Schubert, J.K. Sheu. Appl. Phys. Lett., 80 (2), 986 (2002)
  • P.H. Holloway, T.J. Kim, J.T. Trexler, S. Miller, J.J. Fijot, W.U. Lampert, T.W. Haas. Appl. Surf. Sci., 117/118, 362 (1997)
  • C.R. Abernathy, J.D. Mac Kenzie, S.J. Pearton, W.S. Hobson. Appl. Phys. Lett., 66 (15), 1969 (1995)
  • H.W. Jang, W. Urbanek, M.C. Yoo, J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett., 80 (5), 2937 (2002)
  • H. Morkoc, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76 (3), 1363 (1994)
  • S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstract of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
  • J.K. Kim, J.H. Je, J.-L. Lee, Yo.Jo. Park, B.-T. Lee. J. Electrochem. Soc., 148 (12), 4645 (2000)
  • Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 68 (4), 1672 (1996)
  • C.-Y. Chang, T.-W. Lan, G.-C. Chi, L.-C. Chen, K.-H. Chen, J.-J. Chen, S. Jang, F. Ren, S.J. Pearton. Electrochem. Sol. St. Lett., 9 (5), G155 (2006)
  • R. Khanna, S.J. Pearton, F. Ren, I. Kravchenko, C.J. Kao, G.C. Chi. Appl. Surf. Sci., 252 (5), 1826 (2005)
  • D.-W. Kim, J.C. Bae, W.J. Kim, H.K. Baik, C.Y. Kym, Y. Ho Choi, C.-K. Kim, T.-K. Yoo, C.H. Hong, S.-M. Lee. J. Electron. Mater., 30 (7), 855 (2001)
  • D.-W. Kim, H.K. Baik. J. Appl. Phys., 77 (7), 1011 (2000)
  • M.L. Schuette, Wo Lu. J. Vac. Sci. Technol., 23 (6), 3143 (2005)
  • J.K. Sheu, Y.K. Su, G.C. Chi, M.J. Jou, C.C. Liu, C.M. Chang. Sol. St. Electron., 43 (11), 2081 (1999)
  • J.-L. Lee, J.K. Kim. J. Electrochem. Soc., 147 (6), 2297 (2000)
  • J.-S. Jang, C.-W. Lee, S.-J. Park, T.-Y. Seong, I.T. Ferguson. J. Electron. Mater., 31 (9), 903 (2002)
  • Lunev, V. Chaturvedi, A. Chitmis, G. Simin, J. Yang, M.A. Khan. Abstract of Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 159
  • K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 79 (16), 2588 (2001)
  • L.S. Yu, L. Jia, D. Qiao, S.S. Lau, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (2), 292 (2003)
  • Th. Gessmann, Y.-L. Li, E.L. Waldron, J.W. Graff., E.F. Schubert, J.K. Sheu. J. Electron. Mater., 31 (5), 416 (2002)
  • D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1(G6), 49 (1999)
  • J.S. Jang, H.G. Kim, K.H. Park, C.S. Um, I.K. Han, H.K. Jang, S.J. Part. Mater. Res. Symp. Proc., 482, 1653 (1998)
  • J.-K. Ho, C.-S. Jong, C.C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, K.-K. Shih. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 1275 (1999)
  • D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. Appl. Phys. Lett., 74 (4), 2480 (1999)
  • L.-C. Chen, F.-R. Chen, J.-J. Kai, Li Chang, J.-K. Ho, C.-S. Jong, C.C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, K.-K. Shih. J. Appl. Phys., 86 (7), 3826 (1999)
  • J.-K. Ho, C.-S. Jong, C.C. Chiu, C.-N. Huang, K.-K. Shih, L.-C. Chen, R.-R. Chen, J.-J. Kai. J. Appl. Phys., 86 (8), 4481 (1999)
  • K.-M. Chang, J.-Y. Chu, C.-C. Cheng. Sol. St. Electron., 49 (8), 1381 (2005)
  • J.-S. Jang, S.J. Park, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (5), 2898 (2000)
  • M. Suzuki, T. Arai, T. Kawakami, S. Kobayashi, S. Fujita, Y. Koide, Y. Taga, M. Murakami. J. Appl. Phys., 86 (9), 5079 (1999)
  • R.W. Chuang, A.Q. Zou, H.P. Lee. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1 (G6), 42 (1999)
  • C.-F. Chu, C.C. Yu, Y.K. Wang, J.Y. Tsai, F.I. Lai, S.C. Wang. Appl. Phys. Lett., 77 (21), 3423 (2000)
  • K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 363 (2001)
  • J.-O. Song, J.S. Kwak, T.-Y. Seong. Semicond. Sci. Technol., 21 (2), L7 (2006)
  • J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
  • C. Lu, H. Chen, X. Lv, X. Xie, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
  • S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
  • K. Suzue, S.N. Mohammad, Z.F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 80 (8), 4467 (1996)
  • J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
  • A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68 (8), 4133 (1990)
  • J.S. Kwak, O.-H. Nam, Y. Park. J. Appl. Phys., 95 (10), 5917 (2004)
  • J. Yun, K. Choi. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (1), 22 (2006)
  • D. Qiao, Z.F. Guan, J. Carlton, S.S. Lau, G.J. Sullivan. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2652 (1999)
  • М.К. Гусейнов. ЖТФ, 22 (12), 75 (1996)
  • H.-Y. Cha, X. Chen, H. Wu, W.J. Schaff, M.G. Spencer, L.F. Eastman. J. Electron. Mater., 35 (3), 406 (2006)
  • F.M. Mohammed, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 87 (14), 141 915 (2005)
  • C.H. Kuo, J.K. Sheu, G.C. Chi, Y.L. Hyang, T.W. Yeh. Sol. St. Electron., 45 (5), 717 (2001)
  • Y.-L. Li, E.F. Schubert, J.W. Graff, A. Osinsky, W.F. Schaff. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2728 (2000)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов, А.Е. Николаев, А.В. Фомин, А.Е. Черенков. ФТП, 35 (5), 550 (2001)
  • Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, Р.В. Хасимова, Б.В. Царенков. ФТП, 22 (9), 1712 (1988)
  • F. Ren, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, P.W. Wisk. Appl. Phys. Lett., 64 (12), 1508 (1994)
  • C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, P.W. Wisk. J. Vac. Sci. Technol. B, 11 (2), 179 (1993)
  • H.-K. Kim, J.-S. Jang, S.-J. Park, T.-Y. Seong. J. Electron. Sol., 147 (4), 1573 (2000)
  • F. Ren. J. Vac. Sci. Technol. A, 15 (3), 802 (1997)
  • C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. Mac Kenzie, M.L. Lovejoy, R.J. Shul, J.C. Zolper, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford, A. Jones, F. Ren. Sol. St. Electron., 41 (4), 531 (1997)
  • C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. Mac Kenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (6), 3520 (1996)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52 (25), 2157 (1988)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53 (1), 66 (1988)
  • Y. Nannichi, J.-F. Fan, H. Oigawa, A. Koma. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2367 (1988)
  • J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2125 (1988)
  • S. Logha, D.B. Janes, N.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 80 (23), 4452 (2002)
  • C.-T. Lee, Y.-J. Lin, D.-S. Liu. Appl. Phys. Lett., 79 (16), 2573 (2001)
  • J.O. Song, S.-J. Park, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 80 (17), 3129 (2002)
  • G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonalds, R. Charmane. Abstract of E-MRS Spring Meeting, Symp. F: Amorph. Cryst. SiC Mater. Appl. (2001) F7
  • J. Massies, J. Chaplart, M. Lavirou, N.T. Linh. Appl. Phys. Lett., 38 (9), 693 (1988)
  • T.J. Kim, P.H. Holloway, E.A. Kenik. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3835 (1997)
  • Y.-C. Shih, M. Murakami, E.L. Wilkie, A.C. Callegari. J. Appl. Phys., 62 (2), 582 (1987)
  • M. Otsudo, H. Kumabe, H. Miki. Sol. St. Electron., 20 (7), 617 (1977)
  • A. Christou. Sol. St. Electron., 22 (2), 141 (1979)
  • C.L. Chen, L.J. Mahoney, M.C. Finn, R.C. Brooks, A. Chu, J.G. Mavroides. Appl. Phys. Lett., 48 (5), 535 (1986)
  • Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ФТП, 3 (11), 1718 (1969)
  • H.J. Ueng, N.-P. Chen, D.B. Janes, K.J. Webb, D.T. McInturff, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 90 (11), 5637 (2001)
  • N. Okamoto, T. Takahashi, H. Tanaka, M. Takikawa. Jap. J. Appl. Phys., 37 (6A), 3248 (1998)
  • M.S. Islam, Patrick J. McNally, D.C. Cameron, P.A.F. Herbert. J. Mater. Proc. Technol., 77(1-3), 42 (1998)
  • J. Zhou, G. Xia, B. Li, W. Liu, B. Wu. Jap. J. Appl. Phys., 42 (5A), 2609 (2003)
  • H.-C. Lin, S. Senenayake, K.-Y. Cheng, M. Hong, J.R. Kwo, B. Yang, J.P. Mannaerts. IEEE Trans. Electron Dev., 50 (4), 880 (2003)
  • J. Zhou, G. Xia, B. Li, W. Liu. Appl. Phys. A, 76 (6), 939 (2003)
  • J.-W. Lim, J.-K. Mun, S.-J. An, S. Nam, M.-H. Kwak, H. Kim, J.-J. Lee. Jap. J. Appl. Phys., 39 (5A), 2546 (2000)
  • Y. Tsunoda, M. Murakami. J. Electron. Mater., 31 (1), 76 (2002)
  • H.J. Ueng, N.-P. Chen, D.B. Janes, K.J. Webb, D.T. McInturff, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 90 (11), 5637 (2001)
  • J.-W. Lim, J.-K. Mun, S. Nam, M.-H. Kwak, H. Kim, M.-K. Song, D.S. Ma. J. Phys. D, 33 (13), 1611 (2000)
  • M.S. Islam, Patrick J. McNally, A.H.M. Zahirul Alam, M.Q. Huda. Sol. St. Electron., 44 (4), 655 (2000)
  • F.A. Amin, A.A. Rezazadeh, S.W. Bland. Mater. Sci. Engin. B, 66 (1--3), 194 (1999)
  • J.-W. Lim, J.-K. Mun, M.-H. Kwak, J.-J. Lee. Sol. St. Electron., 43 (10), 1893 (1999)
  • N.E. Lumpkin, G.R. Lumpkin, M.G. Blackford. J. Mater. Res., 14 (4), 1261 (1999)
  • N. Okamoto, T. Takahashi, H. Tanaka. Appl. Phys. Lett., 73 (6), 794 (1998)
  • D.W. Davies, D.V. Morgan, H. Thomas. Sem. Sci. Technol., 14 (7), 615 (1999)
  • J.-W. Lim, J.-K. Mun, J.-J. Lee. Appl. Surf. Sci., 85 (1), 208 (1999)
  • J.S. Kwak, H.K. Baik, J.-L. Lee, C.G. Park, H. Kim, K.-S. Suh. Thin Sol. Films, 291, 497 (1996)
  • J.S. Kwak, J.-L. Lee, H.K. Baik. IEEE Electron. Dev. Lett., 19 (12), 481 (1998)
  • Y.G. Wang, D. Wang, D.G. Ivey. J. Appl. Phys., 84 (3), 1310 (1998)
  • M.S. Islam, P.J. McNally. Thin Sol. Films, 320 (2), 253 (1998)
  • M.S. Islam, Patrick J. McNally, D.C. Cameron, P.A.F. Herbert. J. Mater. Sci. Technol., 77 (1--3), 42 (1998)
  • M.S. Islam, Patrick J. McNally. Mictroelectron. Engin., 40 (1), 35 (1998)
  • M.S. Islam, Patrick J. McNally, D.C. Cameron, P.A.F. Herbert. Thin Sol. Films, 291, 417 (1996)
  • M.O. Aboelfotoh, S. Oktyabrsky, J. Narayan, J.M. Woodall. J. Mater. Res., 12 (9), 2325 (1997)
  • T. Oku, M. Furumai, C.J. Uchibori, M. Murakami. Thin Sol. Films, 300 (1--2), 218 (1997)
  • D.G. Ivey, S. Eicher, S. Wingar, T.P. Lester. J. Mater. Sci., 8 (2), 63 (1997)
  • C.J. Uchibori, Y. Ohtani, T. Oku, N. Ono, M. Murakami. Appl. Surf. Sci., 117--118, 347 (1997)
  • C.J. Uchibori, Y. Ohtani, T. Oku, N. Ono, M. Murakami. J. Electron. Mater., 26 (4), 410 (1997)
  • D.Y. Chen, Y.A. Chang, D. Swenson. J. Appl. Phys., 81 (1), 297 (1997)
  • T. Lee, N.-P. Chen, J. Liu, R.P. Andres, D.B. Janes, E.H. Chen, M.R. Melloch, J.M. Woodall, R. Reifenberger. Appl. Phys. Lett., 76 (2), 212 (2000)
  • I.G. Akdogan, M.A. Parker. Electrochem. Sol. St. Lett., 8 (5), G106 (2005)
  • C.-H. Wu, S.-M. Liao, K.-C. Chang. Mat. Sci. Engin. B, 117 (2), 205 (2005)
  • Y. Shiraishi, H. Shimawali. Compound Semicond. --- Inst. Phys. Conf. Ser., 166, 301 (2000)
  • M.O. Aboelfotoh, M.A. Borek, J. Narayan. Appl. Phys. Lett., 75 (25), 3953 (1999)
  • M. Ogura, M. Murakami. J. Electron. Mater., 27 (10), L64 (1998)
  • K.A. Jones, M.W. Cole, W.Y. Han, D.W. Eckart, K.P. Hilton, M.A. Crouch, B.H. Hughes. J. Appl. Phys., 82 (4), 1723 (1997)
  • B.M. Henry, A.E. Staton-Bevan, V.K.M. Sharma, M.A. Crouch. Appl. Surf. Sci., 108 (4), 485 (1997)
  • R.V. Ghita, C. Logofatu, C. Negrila, A.S. Manea, M. Cernea, M.F. Lazarescu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (2), 3033 (2005)
  • В. Казлаускене, В. Кажукаускас, Ю. Мишкинис, А. Петравичюс, Р. Пурас, С. Сакалаускас, Ю. Синюс, Ю. Вайткус, А. Жиндулис. ФТП, 38 (1), 78 (2004)
  • I.H. Kim. Mater. Lett., 57 (19), 2769 (2003)
  • I.H. Kim. Mater. Lett., 56 (5), 775 (2002)
  • J.-M. Lee, I.-H. Choi, S.H. Park, B.-G. Min, T.-W. Lee, M.P. Park, K.-H. Lee. J. Korean. Phys. Soc., 37 (1), 43 (2000)
  • I.-H. Kim, S.H. Park, J. Kim, J.-M. Lee, T.-W. Lee, M.P. Park. Jap. J. Appl. Phys., 37 (3B), 1348 (1998)
  • S.H. Park, I.H. Kim, T.W. Lee, M.P. Park. Compound Semicond. 1997 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 156, 459 (1998)
  • S.H. Park, T.-W. Lee, J.M. Lee, B.-G. Min, M.-P. Park, J.Y. Kim, I.-H. Kim. J. Korean Phys. Soc., 34 (Suppl. 3), S273 (1999)
  • I.-H. Kim, S.H. Park, T.-W. Lee, M.-P. Park. Appl. Phys. Lett., 71 (13), 1854 (1997)
  • E. Nebauer, M. Mai, E. Richter, J. Wurfl. J. Electron Mater., 27 (12), 1372 (1998)
  • I.H. Kim, S.H. Park, T.W. Lee, M.P. Park, B.R. Ryum, K.E. Pyun, H.M. Park. Compound Semicond. 1997 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 156, 455 (1998)
  • D.G. Ivey, R. Zhang, Z. Abid, S. Eicher, T.P. Lester. J. Mater. Sci., 8 (5), 281 (1997)
  • B. Luo, G. Dang, A.-P. Zhang, F. Ren, J. Lopata, S.N.G. Chu, W.S. Hobson, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 148 (12), G676 (2001)
  • F. Ren, S.J. Pearton, W.S. Hobson, T.R. Fullowan, A.B. Emerson, D.M. Schleich. Appl. Phys. Lett., 58 (11), 1158 (1991)
  • Y.-T. Kim, J.-L. Lee, J.K. Mun, H. Kim. Appl. Phys. Lett., 71 (18), 2656 (1997)
  • Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76 (9), 5099 (1994)
  • S.V. Morozov, Yu.V. Dubrovskii, V.N. Abrosimova, J. Wurfl. Appl. Phys. Lett., 72 (22), 2882 (1998)
  • J.W. Lim, J.K. Mun, M.H. Kwak, J.J. Lee. Sol. St. Electron., 43 (10),1893 (1999)
  • S. Oktyabrsky, M.O. Aboelfotoh, J. Narayan. J. Electron. Mater., 25 (11), 1673 (1996)
  • H.S. Lee, M.W. Cole, R.T. Lareau, S.N. Schauer, D.C. Fox, D.W. Eckart, R.P. Moerkirk, W.H. Chang, K.A. Jones, S. Elagoz, W. Vavra, R. Clarke. J. Appl. Phys., 72 (10), 4773 (1992)
  • R.V. Ghita, C. Logofatu, C. Negrila, A.S. Manea, M. Cernea, M.F. Lazarescu. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7 (6), 3033 (2005)
  • С.Е. Александров, В.В. Волков, В.П. Иванова, Ю.С. Кузьмичев. Ю.В. Соловьев. ЖТФ, 31 (14), 1 (2005)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ЖТФ, 77 (2), 140 (2007)
  • T.J. Kim, P.H. Holloway. Critic. Rev. Sol. St. Mater., 22 (3), 239 (1997)
  • Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76 (9), 5099 (1994)
  • F. Radulescu, J.M. McCarthy. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 2294 (1999)
  • S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, V.G. Riggs, W.C. Dautremont-Smith, W.D. Johnston, jr. J. Appl. Phys., 67 (8), 3754 (1990)
  • K.A. Jones, E.H. Linfield, J.E.F. Frost. Appl. Phys. Lett., 69 (27), 4197 (1996)
  • H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Honjo. J. Appl. Phys., 69 (11), 7939 (1991)
  • N.-P. Chen, H.J. Ueng, D.B. Janes, J.M. Woodall, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 88 (1), 309 (2000)
  • C.J. Uchibori, T. Oku, N. Kameya, N. Ono, M. Murakami. Mater. Transaction JIN, 37 (4), 670 (1996)
  • А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37 (9), 1022 (2003)
  • M.H. Park, L.C. Wang, D.C. Dufner, I.H. Tan, F. Kish. Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 369 (1997)
  • M.-H. Park, L.C. Wang, D.C. Dufner, Fei Deng, S.S. Lau, I.H. Tan, F. Kish. J. Appl. Phys., 81 (7), 3138 (1997)
  • L.C. Wang, Moon-Ho Park, H.A. Jorge, I.H. Tan, F. Kish. Electron. Lett., 82 (4), 409 (1996)
  • F. Zhang, B. Li, B. Sang. Mater. Sci. Engin. B, 25 (1), 24 (1994).
  • F. Zhang, Z. Song, J. Peng. Appl. Surf. Sci., 62 (1--2), 83 (1992)
  • Y. Koide, M. Murakami. Electron. Cummunic. Jap. (pt 2)--Electron., 82 (10), 43 (1999)
  • L. Baojun, L. Enke, Z. Fujia. Sol. St. Electron., 41 (6), 917 (1997)
  • M.V. Tagare, T.P. Chin, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 68 (24), 3485 (1996)
  • F. Ren, S.J. Pearton, J.R. Lothian, S.N.G. Chu, W.K. Chu, R.G. Wilson, C.R. Abernathy, S.S. Pei. Appl. Phys. Lett., 65 (17), 2165 (1994)
  • R. Dutta, M.A. Shahid, P.J. Sakach. J. Appl. Phys., 69 (7), 3968 (1991)
  • J.S. Park, H.J. Park, Y.B. Hahn, G.-C. Yi, A. Yoshikawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 21 (2), 795 (2003)
  • W.C. Huang. Appl. Surf. Sci., 245, 141 (2005)
  • T. Clausen, A.S. Pedersen, O. Leistiko. Microelectron. Engin., 15 (1--4), 157 (1991)
  • R. Dutta, M.A. Shahid, P.J. Sakach. J. Appl. Phys., 69 (7), 3968 (1991)
  • M.B. Takeyama, A. Noya, T. Hashizume, H. Hasegawa. Jap. J. Appl. Phys., 65 (2B), 1115 (1999)
  • F. Ren, M.J. Antonell, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, J.R. LaRoche, M.W. Cole, J.R. Lothian, R.W. Gedridge, jr. Appl. Phys. Lett., 74 (13), 1845 (1999)
  • D.G. Ivey, D. Wang, D. Yang, R. Bruce, G. Knight. J. Electron. Mater., 23 (5), 441 (1994)
  • P.A. Leigh, R.M. Cox, P.J. Dobson. Sol. St. Electron., 37 (7), 1353 (1994)
  • W.C. Huang, T.F. Lei, C.L. Lee. J. Appl. Phys., 79 (12), 9200 (1996)
  • P. Jian, D.G. Ivey, R. Bruce, G. Knight. J. Electron. Mater., 23 (9), 953 (1994)
  • J. Morais, T.A. Fazan, R. Landers, E.A.S. Sato. J. Appl. Phys., 79 (9), 7058 (1996)
  • W.-C. Huang, T.-F. Lei, C.-L. Lee. J. Appl. Phys., 78 (10), 6108 (1995)
  • W.O. Barnard, G. Myburg, F.D. Auret, J.H. Potgieter, P. Ressel, E. Kuphal. Vacuum, 46 (8--10), 893 (1995)
  • D.G. Ivey, P. Jian, L. Wan, R. Bruce, S. Eicher, C. Blaauw. J. Electron. Mater., 20 (3), 237 (1991)
  • S. Hwang, J. Shim. J. Korean Phys. Soc., 46 (4), L751 (2005)
  • M.-H. Park, L.C. Wang, J.Y. Cheng, C.J. Palmstr m. Appl. Phys. Lett., 70 (1), 99 (1997)
  • A. Yamaguchi, T. Okada, Y. Iguchi, T. Saitoh, H. Asamizu, Y. Koide, M. Murakami. Compound Semicond. 1997 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 162, 162 (1999)
  • A. Yamaguchi, H. Asamizu, T. Okada, Y. Iguchi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami. J. Appl. Phys., 85 (11), 7792 (1999)
  • A. Yamaguchi, I. Tonai, N. Yamabayashi, M. Shibata. Bunseki Kagaki, 40 (11), 741 (1991)
  • H. Asamizu, A. Yamaguchi, Y. Iguchi, T. Saitoh, M. Murakami. Mater. Transactions, 43 (6), 1352 (2002)
  • A. Yamaguchi, H. Asamizu, T. Okada, Y. Iguchi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami. J. Vac. Sci. Technol., 18 (4), 1957 (2000)
  • N. Asamizu, A. Yamaguchi, Y. Iguchi, T. Saitoh, Y. Koide, M. Murakami. Appl. Surf. Sci., 159, 174 (2000)
  • V. Malina, L. Moro, V. Micheli, I. Mojzes. Semicond. Sci. Technol., 11 (7), 1121 (1996)
  • M.H. Park, L.C. Wang, D.M. Hwang. J. Electron. Mater., 25 (4), 721 (1996).
  • M.H. Park, L.C. Wang, J.Y. Cheng, Fei Deng, S.S. Lau, C.J. Palmstr m. Appl. Phys. Lett., 68 (7), 952 (1996)
  • W. Zhao, S. Kim, J. Zhang, I. Adesida. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (1), 1 (2006)
  • S.-W. Chang, E.Y. Chang, S.-S. Lee, K.-S. Chen, S. W. Tseng, Y.-Y. Tu, C.-T. Lee. Jap. J. Appl. Phys. Lett., 44 (28--32), L899 (2005)
  • Z. Tang, H. Hsia, H.C. Kuo, B. Moser, D. Caruth, G.E. Stillman, M. Feng. Compound Semicond. --- Inst. Phys. Conf. Ser., 166, 321 (2000)
  • J. Herniman, J.S. Yu, A.E. Staton-Bevan. Appl. Surf. Sci., 52 (4), 289 (1991)
  • A. Katz, A. Feingold, S.J. Pearton. Semicond. Sci. Technol., 7 (3), 436 (1992)
  • A. Katz, A. El-Roy, A. Feingold, M. Geva, N. Moriya, S.J. Pearton, E. Lane, T. Keel, C.R. Abernathy. Appl. Phys. Lett., 62 (21), 2652 (1993)
  • Y.-H. Yeh, J.-T. Lai, J. Ya-min Lee. Jap. J. Appl. Phys. Lett., 35 (12A), L1569 (1996)
  • P.W. Leech, G.K. Reeves, M.H. Kibel. J. Appl. Phys., 76 (8), 4713 (1994)
  • P. Jian, D.G. Ivey, R. Bruce, G. Knight. J. Mater. Sci., 7 (2), 7 (1996)
  • T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
  • T. Clausen, O.L. Chorkendorff, J. Larsen. Thin Sol. Films, 232 (2), 215 (1993)
  • А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38 (11), 1356 (2004)
  • K. Ikossi, M. Goldenberg, J. Mittereder. Sol. St. Electron., 46 (10), 1627 (2002)
  • R.K. Huang, C.A. Wang, C.T. Harris, M.K. Connors, D.A. Shiau. J. Electron. Mater., 33 (11), 1406 (2004)
  • C.A. Wang, D.A. Shiau, R.K. Huang, C.T. Harris, M.K. Connors. J. Cryst. Growth, 261 (2--3), 379 (2004)
  • J.A. Robinson, S.E. Mohney. J. Appl. Phys., 98 (3), 033 703 (2005)
  • J. Sigmund, M. Saglam, A. Vogt, H.L. Hartnagel, V. Buschmann, T. Wieder, H. Fuess. J. Cryst. Growth, 227, 625 (2001)
  • K. Varblianska, K. Tzenev, T. Kotsinov. Phys. Status Solidi A, 163 (2), 387 (1997)
  • A. Vogt, H.L. Hartnagel, G. Miehe, H. Fuess, J. Schmitz. J. Vacuum. Sci. Technol. B, 14 (6), 3514 (1996)
  • E. Villemain, S. Gaillard, M. Rolland, A. Joullie. Mater. Sci. Engin. B, 20 (1--2), 162 (1993)
  • Y.K. Su, F.S. Juang, J.G. Kuang. Jap. J. Appl. Phys., 30 (5), 914 (1991)
  • K.G. Merkel, C.L.A. Cerny, V.M. Bright, F.L. Schuermeyer, T.P. Monahan, R.T. Lareau, R. Kaspi, A.K. Rai. Sol. St. Electron., 39 (2), 179 (1996)
  • A. Vogt, A. Simon, J. Weber, H.L. Hartnagel, J. Schikora, V. Buschmann, H. Fuess. Mater. Sci. Engin. B, 66 (1--3), 199 (1999)
  • A.G. Milnes, M. Ye, M. Stam. Sol. St. Electron., 37 (1), 37 (1994)
  • C.-T. Lee, K.-L. Jaw, C.-D. Tsai. Sol. St. Electron., 42 (5), 871 (1998)
  • Y. Zhao, M.J. Jurkovic, W.I. Wang. J. Electrochem. Soc., 144 (3), 1067 (1997)
  • Y. Shiraishi, N. Furuhata, A. Okamoto. J. Appl. Phys., 76 (9), 5099 (1994)
  • V. Srivastav, R. Pal, B.L. Sharma, V. Mittal, V. Gopal, H.P. Vyas. J. Electron. Mater., 34 (3), 225 (2005)
  • E.M. Lysczek, S.E. Mohney, T.N. Wittberg. Electron. Lett., 39 (25), 1866 (2003)
  • J.B. Boos, B.R. Bennett, W. Kruppa, D. Park, J. Mittereder, R. Bass, M.E. Twigg. J. Vacuum. Sci. Technol., 17 (3), 1022 (1999)
  • T. Teraji, S. Koizumi, H. Kanda. Phys. Status Solidi A, 181 (1), 129 (2000)
  • Tokuyuki Terai, Masayuki Katagiri, Satoshi Koizumi, Toshimichi Ito, Hisao Kanda. Jap. J. Appl. Phys. Lett., 42 (8A), L882 (2003)
  • Han Gao, Cheng Mu, Fan Wang, Dongsheng Xu, Kai Wu, Youchang Xie, Shuang Liu, Enge Wang, Jun Xu, Dapeng Yu. J. Appl. Phys., 93 (9), 5602 (2003)
  • M. Werner, R. Job, A. Denisenko, A. Zaitsev, W.R. Fahrner, C. Johnston, P.R. Chalker, I.M. Buckley-Golder. Diamond Relat. Mater., 5 (6--8), 723 (1996)
  • V. Venkatesan, K. Das. IEEE Electron. Dev. Lett., 13 (2), 126 (1992)
  • V. Venkatesan, D.M. Malta, K. Das, A.M. Belu. J. Appl. Phys., 74 (2), 1179 (1993)
  • T. Iwasaki, K. Okano, Y. Matsumae, E. Matsushima, H. Maekawa, H. Kiyota, T. Kurosu, M. Iida. Diamond Relat. Mater., 3 (1--2), 30 (1994)
  • Y. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Semicond. Sci. Technol., 20 (8), 860 (2005)
  • Y.G. Chen, M. Ogura, S. Yamasaki, H. Okushi. Diamond Relat. Mater., 13 (11--12), 2121 (2004)
  • C. Zhen, Y. Wang, S. He, Q. Guo, Z. Yan, Y. Pu. Optic Mater., 23 (1--2), 117 (2003)
  • C.M. Zhen, Y.Y. Wang, Q.F. Guo, M. Zhao, Z.W. He, Y.P. Guo. Diamond. Relat. Mater., 11 (9), 1709 (2002)
  • Y.Y. Wang, C.M. Zhen, Z.J. Yan, Q.F. Guo, G.H. Chen. Inter. J. Mod. Phys. B, 16 (6--7), 927 (2002)
  • C. Zhen, X. Liu, Z. Yan, H. Gong, Y. Wang. Surf. Interf. Sci., 32 (1), 106 (2001)
  • C.M. Zhen, X.Q. Liu, Z.J. Yan, H.X. Gong, Y.Y. Wang. Chines. Phys. Lett., 17 (11), 827 (2000)
  • H.A. Hoff, G.L. Waytena, C.L. Vold, J.S. Suehle, I.P. Isaacson, M.L. Rebbert, D.I. Ma, K. Harris. Diamond. Relat. Mater., 5 (12), 1450 (1996)
  • M. Werner, C. Johnston, P.R. Chalker, S. Romani, I.M. Buckley-Golder. J. Appl. Phys., 79 (5), 2535 (1996)
  • K. Das, V. Venkatesan,T.P. Humphreys. J. Appl. Phys., 76 (4), 2208 (1994)
  • J. Nakanishi, A. Otsuki, T. Oku, O. Ishiwata, M. Murakami. J. Appl. Phys., 76 (4), 2293 (1994)
  • M. Werner, O. Dorsch, H.U. Baerwind, A. Ersoy, E. Obermeier, J. Johnston, S. Romani, P.R. Chalker, V. Moore, I.M. Buckley-Golder. Diamomd. Relat. Mater., 3 (4--6), 983 (1994)
  • Y.Y. Wang, C.M. Zhen, H.X. Gong, Z.J. Yan, Y.F. Wang, X.Q. Wang, Y.H. Yang, S.H. He. Acta Phys. Sinica, 49 (7), 1348 (2000)
  • J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75 (9), 4548 (1994)
  • E.V. Kalinina, G.F. Kholuyanov, A.V. Shchukarev, N.S. Savkina, A.I. Babanin, M.A. Yagovkina, N.I. Kuznetsov. Diamond Relat. Mater., 8 (6), 1114 (1999)
  • M.W. Cole, P.C. Joshi, C. Hubbard, J.D. Demaree, M. Ervin. J. Appl. Phys., 91 (6), 3864 (2002)
  • H. Na, H. Kim, K. Adachi, N. Kiritani, S. Tanimoto, H. Okushi, K. Arai. J. Electron. Mater., 33 (2), 89 (2004).
  • T.V. Blank, Y.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nucl. Instrum. Meth., A509, 109 (2003)
  • O.J. Guy, G. Pope, I. Blackwood, K.S. Teng, L. Chen, W.Y. Lee, S.P. Wilks, P.A. Mawby. Surf. Sci., 573 (2), 253 (2004)
  • O.J. Guy, G. Pope, I. Blackwood, K.S. Teng, W.Y. Lee, S.P. Wilks, P.A. Mawby. Silicon Carb. Relat. Mater. 2003 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 853 (2004)
  • G. Pope, O. Guy, P.A. Mawby. Silicon Carb. Relat. Mater. 2003 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 833 (2004)
  • S.J. Yang, C.K. Kim, I.H. Noh, S.W. Jang, K.H. Jung, N.I. Cho. Diamond Relat. Mater., 13 (4--8), 1149 (2004)
  • Nam-Ihn Cho, Kyung-Hwa-Jung, Yong Choi. Semicond. Sci. Technol., 19 (3), 306 (2004)
  • S.Y. Han, N.K. Kim, E.D. Kim, J.L. Lee. Silicon Carb. Relat. Mater. 2001 --- Mater. Sci. Forum, 389--393, 897 (2002)
  • L.G. Fursin, J.H. Zhao, M. Weiner. Electron. Lett., 37 (17), 1092 (2001)
  • S. Liu, K. Reinhardt, C. Severt, J. Scofield. Silicon Carb. Relat. Mater., 1995 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 589 (1996)
  • L. Kassamakova, R.D. Kakanakov, I.V. Kassamakov, N. Nordell, S. Savage, B. Hjorvarsson, E.B. Svedberg, L. Aborn, L.D. Madsen. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (3), 605 (1999)
  • K. Vassilevski, K. Zekentes, G. Constantinidis, N. Papanicolaou, I. Nikitina, A. Babanin. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 --- Mater. Sci. Forum., 338--343, 1017 (2000)
  • L. Kassamakova, R. Kakanakov, I. Kassamakov, N. Nordell, S. Savage, E.B. Svedberg, L.D. Madsen. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 --- Mater. Sci. Forum, 338--343, 1009 (2000)
  • R. Kakanakov, L. Kassamakova, I. Kassamakov, K. Zekentes, N. Kuznetsov. Mater. Sci. Engin. B, 80 (1--3), 374 (2001)
  • K. Vassilevski, K. Zekentes, K. Tsagaraki, G. Constantinidis, I. Nikitina. Mater. Sci. Engin. B, 80 (1--3), 370 (2001)
  • L. Kassamakova, R. Kakanakov, I. Kassamakov, K. Zekentes, K. Tsagaraki, G. Atanasova. Silicon Carb. Relat. Mater. 2000 --- Mater. Sci. Forum, 353--363, 251 (2000)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, А.О. Константинов, А. Халлен. Письма ЖТФ, 27 (18), 43 (2001)
  • O. Nakatsuka, T. Takei, Ya. Koide, M. Murakami. Mater. Transaction, 43 (7), 1984 (2002)
  • S. Tsukimoto, T. Sakai, T. Onishi, K. Ito, M. Murakami. J. Electron. Mater., 34 (10), 1310 (2005)
  • S. Tsukimoto, T. Sakai, M. Murakami. J. Appl. Phys., 96 (9), 4976 (2004)
  • R. Kakanakov, L. Kazamakova-Kolaklieva, N. Hristeva, G. Lepoeva, J.B. Gomes, I. Avramova, T. Marinova. Silicon Carb. Relat. Mater. 2003 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 877 (2004)
  • S. Tsukimoto, K. Nitta, T. Sakai, M. Moriyama, M. Murakami. J. Electron. Mater., 33 (5), 460 (2004)
  • T. Sakai, K. Nitta, S. Tsukimoto, M. Moriyama, M. Murakami. J. Appl. Phys. 95 (4), 2187 (2004)
  • R. Kakanakov, L. Kassamakova, N. Hristeva, G. Lepoeva, N. Kuznetsov, K. Zekentes. Silicon Carb. Relat. Mater. 2001 --- Mater. Sci. Forum, 389--393, 917 (2002)
  • L. Kassamakova, R. Kakanakov, N. Nordell, S. Savage, A. Kakanakova-Georgieva, T. Marinova. Mater. Sci. Engin. B, 61--62, 291 (1999)
  • K.V. Vassilevski, G. Constantinidis, N. Papanicolaou, N. Martin, K. Zekentes. Mater. Sci. Engin. B, 61-62, 296 (1999)
  • N.A. Papanicolaou, A. Edwards, M.V. Rao, W.T. Anderson. Appl. Phys. Lett., 73 (14), 2009 (1998)
  • G.Y. McDaniel, S.T. Fenstermaker, W.V. Lampert, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 96 (9), 5357 (2004)
  • C. Deeb, A.H. Heuer. Appl. Phys. Lett., 84 (7), 1117 (2004)
  • T. Jang, B. Odekirk, L.D. Madsen, L.M. Porter. J. Appl. Phys., 90 (9), 4555 (2001)
  • U. Schmid, R. Getto, S.T. Sheppard, W. Wondrak. J. Appl. Phys., 85 (5), 2681 (1999)
  • S. Liu, K. Reinhardt, C. Severt, J. Scofield. Silicon Carb. Relat. Mater. 1995 --- Inst. Phys. Conf. Ser., 142, 589 (1996)
  • A. Scorzoni, F. Moscatelli, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Relat. Mater. 2004 --- Mater. Sci. Forum, 457--460, 881 (2004)
  • F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Silicon Carb. Relat. Mater. 2002 --- Mater. Sci. Forum, 433--4, 673 (2002)
  • F. Moscatelli, A. Scorzoni, A. Poggi, G.C. Cardinali, R. Nipoti. Semicond. Sci. Technol., 18 (6), 554 (2003)
  • K. Nakashima, O. Eryo, O. Kais, V. Yoshida, M. Watanabe. Silicon Carb. Relat. Mater. 1999 --- Mater. Sci. Forum, 338 (3), 1005 (2000)
  • A.A. Iliadis, S.N. Andronescu, W. Yang, R.D. Vispute, A. Stanishevsky, J.H. Orloff, R.P. Sharma, T. Venkatesan, M.C. Wood, K.A. Jones. J. Electron. Mater., 28 (3), 136 (1999)
  • A.A. Iliadis, S.N. Andronescu, K. Edinger, J.H. Orloff, R.D. Vispute, V. Talyansky, R.P. Sharma, T. Venkatesan, M.C. Wood, K.A. Jones. Appl. Phys. Lett., 73 (24), 3545 (1998)
  • J. Crofton, P.A. Barnes, J.R. Williams, J.A. Edmond. Appl. Phys. Lett., 62 (4), 384 (1993).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.