"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs
Терентьев Я.В.1, Люблинская О.Г.1, Усикова А.А.1, Торопов А.А.1, Соловьев В.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости. PACS: 71.70.Ej, 72.25.Mk, 73.40.Kp, 78.55.Cr
  • J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 64, R29 (1988)
  • A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett., 95, 017 201 (2005)
  • Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  • Y. Yafet, R.W. Keyes, E.N. Adams. J. Phys. Chem. Sol., 1, 137 (1956)
  • Ya.V. Terent'ev, O.G. Lyublinskaya, A.A. Toropov, V.A. Solov'ev, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 187, 57 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.