"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра О б з о р
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

В последние годы в связи с требованиями медицины, биологии, военной техники и проблемой "озоновой дыры" сформировалась ультрафиолетовая фотоэлектроника. Ее особенностью является необходимость регистрировать слабые, но сильно влияющие на жизнедеятельность человека сигналы на фоне мощного видимого и инфракрасного излучения. Основой ультрафиолетовой электроники являются: p-n-структуры на основе Si, барьеры Шоттки на основе GaP, p-n-структуры и барьеры Шоттки на основе GaN и AlGaN (солнечно-слепые приборы), SiC-структуры с потенциальными барьерами (высокотемпературные приборы), ZnO- и ZnS-фоторезисторы и диоды Шоттки. В обзоре приведены параметры исходных широкозонных полупроводников, описаны физические основы процесса фотоэлектропреобразования, принципы создания омических контактов, представлены характеристики приборов и предполагаемые направления дальнейших исследований.
  • Фотометрия. Термины и определения. ГОСТ-26148-84, приложение 1 (1992)
  • L.R. Koller. Ultraviolet Radiation (N. Y., Wiley, 1965)
  • E.E. Anderson. Fundamentals of Solar Energy Conversion (Reading, MA: Addison Wesley, 1983)
  • И.Е. Гамелина, К.А. Самойлова. Механизм влияния на организм человека и животных крови, облученной ультрафиолетовым излучением (Л., Наука, 1986)
  • В.Г. Бокша. Справочник по климатотерапии (Киев, Здоровье, 1989)
  • WHO Environmental Hygienic Criterions. Ultraviolet Radiation (Geneva, International Radiation Protection Association and WHO, 1994) p. 160
  • А. Васси. Атмосферный озон (М., Мир, 1968) [Пер. с англ.: A. Vassy. Atmospheric Ozone, Advances in Geophysics (N. Y.-L., 1965) v. 1]
  • D.J. Karoly. Cancer Forum, 30, 1 (1996)
  • Matthew P. Thekaekara. Appl. Optics, 13, 518 (1974)
  • Д.В. Лазарев, Л.Н. Ляпунова. В сб.: Проблемы практической фотобиологии (Пущино, 1977) с. 11
  • Э.Л. Александров, Ю.А. Израэль, И.Л. Кароль, А.Х. Хргиан. Озоновый шит Земли и его изменение (СПб., Гидрометеоиздат, 1992)
  • P. Fraser. Proc. 2nd Menzies Found. Conf. " Health Consequences of Ozone Depletion" (Hobart, Australia, 1996)
  • R. Stalarski, R. Cicerone. Canadian J. Chem., 52, 1610 (1974)
  • M.J. Molina, F.S. Rowlard. Nature, 249, 810 (1974)
  • D.J. Hofmann, S.J. Oltmans, B.J. Johnson, A. Lathrop, J.M. Harris, M. Vomel. Geophys. Res. Lett., 22, 2493 (1995)
  • I.E. Galbally. Science, 193, 573 (1976)
  • Ш. Роун. Озоновый кризис (М., Мир, 1993)
  • J. Austin, D.J. Hofmann, N. Butchart, S.J. Oltmans. Geophys. Res. Lett., 22, 2489 (1995)
  • D.J. Hofmann. Nature, 383, 129 (1996)
  • J.R. Herman, P.A. Newman, O.D. Lark. Geophys. Res. Lett., 22, 3227 (1995)
  • Y. Kondo, Y. Zhao, O. Uchino, T. Nagai, T. Fujimodo et al. Geophys. Res. Lett., 22, 3223 (1995)
  • S. Staehelin, N.R.P. Harris, C. Appenzeller, J. Eberhard. Rev. Geophys., 39 (2), 231 (2001)
  • P.B.C. Ren, F. Sigernes, Y. Gjessing. Geophys. Res. Lett., 24, 1359 (1997)
  • C.S. Zeferos, D.S. Balis, A.F. Bais, D. Gillotay, P.C. Simon, B. Meyer, G. Seotmeyer. Geophys. Res. Lett., 24, 1363 (1997)
  • CIAP Monography 5. Impact of climatic change on the biosphere, p. 1. UV radiation effects. DOT-TST-75-55 (Washington, DC, 1975)
  • World Meteorological Organization ( WMO). Scientific assessment of ozone depletion (Geneva, WMO Global Ozone Research and Monitoring Project, 1994) report 37
  • World Meteorological Organization ( WMO) and United National Environment Program ( UNEP). Climate Change 1995 --- The Science of Climate Change, Summery of Policymakers, Working Group 1 (Geneva, IPCC, 1995) p. 56
  • Yu.A. Goldberg. Semicond. Sci. Technol., 14 (37), R41 (1999)
  • Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и фотоприемники. ГОСТ-17772-1988
  • Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и фотоприемники. Термины и определения. ГОСТ-21934-1983
  • D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  • H.R. Philipp, E.A. Taft. Silicon Carbide --- a High Temperature Semiconductor (Oxford, Pergamon Press, 1960)
  • D.E. Aspnes, S.M. Kenso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
  • S.G. Sridhara, R.P. Devaty, W.J. Choyke. J. Appl. Phys., 84, 2963 (1998)
  • Noriyuki Miyata, Rfzunori Moriki, Osumu Mishima, Masami Fujisawa, Takeo Hattori. Phys. Rev. B, 40, 12 028 (1989)
  • C.R. Aita, C.J.G. Kubiak, F.Y.H. Shih. J. Appl. Phys., 66, 4360 (1989)
  • R. Groth, E. Kauer. Phys. St. Sol., 1 (5), 445 (1961)
  • J.F. Muth, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, Jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 71, 2572 (1997)
  • J. Baillou, J. Daunay, P. Bugnet, J. Dauray, C. Auzary, R. Poindessault. J. Phys. Chem. Sol., 41 (3), 295 (1980)
  • J.W. Tomm, B. Ullrich, X.G. Qiu, Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma. J. Appl. Phys., 87, 1844 (2000)
  • A. Zunger, A. Katzir, A. Halperin. Phys. Rev. B, 13, 5560 (1976)
  • O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzman. Sol. St. Commun., 97 (5), 365 (1997)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley, 1981)]
  • Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapore, World Scientific, 1996 [v. 1], 1999 [v. 2])
  • Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N. Y., John Wiley and Sons, 2001)
  • H. Morko c, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  • Lei Wang, M.I. Nathan, T.-H. Lim, M.A. Khan, Q. Chen. Appl. Phys. Lett., 68, 1267 (1996)
  • M. Rebien, W. Henrion, M. Bar, C.-H. Fisher. Appl. Phys. Lett., 80, 3518 (2002)
  • R. Trew, J.B. Yan, P.M. Mock. Proc. IEEE, 79, 598 (1991)
  • A.O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 71, 90 (1997)
  • Technical report. III-V Review, 15 (2), 17 (2002)
  • Y.P. Varshni. Physica, 34 (1), 149 (1967)
  • D. Matsuura, T. Kanemitsu, T. Kushida, C.W. White, J.D. Budai, A. Meldrum. Appl. Phys. Lett., 77, 2289 (2000)
  • J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67, 2657 (1995)
  • А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова. ФТП, 29, 1833 (1995)
  • M. Sawada, T. Sawada, Y. Yanagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Lizuka, H. Tomozawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Semicond. (Tokushino, Japan, 1997) p. 706
  • Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 7, 2326 (1973)
  • J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72, 4757 (1992)
  • T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 69, 3537 (1996)
  • H. Sheng, S. Muthukumar, N.W. Emanetoglu, Y. Lu. Appl. Phys. Lett., 80, 2132 (2002)
  • Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17, 1757 (1983)
  • E.V. Kalinina, N.I. Kuznetsov, A.I. Babanin, A.I. Dmitriev, A.V. Shchukarev. Diamond Relat. Mater., 6, 1528 (1997)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
  • Wei-Chin Lai. Abstract Int. Conf. on SiC, III-Nitrides Rel. Mater. (Stockholm, 1997) p. 12
  • N.I. Kuznetsov, E.V. Kalinina, V.A. Soloviev, V.A. Dmitriev. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 395, 837 (1999)
  • F. Lavia, F. Roccaforte, V. Raineri, P. Musumeci, L. Calcagno. Technical Digest Th-P-41 Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Japan, 2001) p. 641
  • Q.Z. Liu, L.S. Yu, F. Deng, S.S. Lau, J.M. Redwing. J. Appl. Phys., 84, 881 (1998)
  • L.S. Yu, D. Qiao, L. Jia, S.S. Lau, Y. Qi, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 79, 4536 (2001)
  • O. Shigiltchoff, T. Kimoto, D. Hoodgood, P.P. Devaty, W.J. Choyke. Technical Digest We-B-23 Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Japan, 2001) p. 291
  • Ja-Soon Jang, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 76, 2743 (2000)
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982) [Пер. с англ.: E.H. Rhoderick. Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)]
  • Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков, М.И. Шульга. ФТП, 25, 439 (1991)
  • Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 9, 513 (1975)
  • R.H. Fouler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
  • C.L. Anderson, C.R. Crowell, T.W. Kao. Sol. St. Electron., 18 (8), 705 (1975)
  • W.W. Gartner. Phys. Rev., 116, 84 (1959)
  • S.S. Li, F.A. Lindholm, C.T. Wang. J. Appl. Phys., 43, 4123 (1972)
  • А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
  • J.M. Caywood, C.A. Mead. Appl. Phys. Lett., 15, 14 (1969)
  • M. Lavange, J.P. Pique, Y. Marfing. Sol. St. Electron., 20 (3), 235 (1969)
  • A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965)
  • Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
  • О.А. Мезрин, С.И. Трошков. ФТП, 22, 176 (1983)
  • Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, О.А. Мезрин, С.И. Трошков. ФТП, 24, 1835 (1990)
  • О.В. Константинов, О.А. Мезрин, Г.В. Царенков. ФТП, 22, 129 (1988)
  • T.V. Blank, Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Abstract 13th Int. Conf. Sol. State Dosimetry (Athens, Greece, 2001)
  • Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов. ЖЭТФ, 40, 936 (1961)
  • Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 421 (1995)
  • Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, O.I. Obolensky, T.V. Petelina (Blank), E.A. Posse. J. Phys.: Condens. Matter., 11, 455 (1999)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов, А.О. Константинов, A. Hallen. Письма ЖТФ, 27 (18), 43 (2001)
  • А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Энергоиздат, 1987)
  • М.М. Аникин, В.В. Евстропов, Н.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
  • М.М. Аникин, В.В. Евстропов, Н.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
  • M. Razeghi, A. Rogalski. J. Appl. Phys., 79, 7433 (1996)
  • P.W. Kruse. Optical Infrared Detectors (Berlin, 1977)
  • W. Dingfen, K. Heime. Electron. Lett., 18, 940 (1982)
  • W. Dingfen, W. Dening, K. Heime. Sol. St. Electron., 29, 489 (1987)
  • R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 69, 3623 (1991)
  • A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  • S.M. Cho, J.D. Lee, H.H. Lee. J. Appl. Phys., 70, 282 (1991)
  • Noriaki Mochida, Tohru Honda, Tomoe Shirasawa, Akira Inoue, Takahiro Sakaguchi, Fumio Koyama, Kenichi Iga. J. Cryst. Growth, 189/190, 716 (1998)
  • D. Qiao, L.S. Yu, L. Jia, P.M. Asbeck, S.S. Lau, T.E. Haynes. Appl. Phys. Lett., 80 (6), 992 (2002)
  • Lu-Min Liu, G. Lindauer, W.B. Alexander, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2238 (1995)
  • Y.X. Wang, P.H. Holloway. Vacuum, 43, 1149 (1992)
  • J.J. Fijol, J.T. Trexler, L. Calhoun, R.M. Park, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 159 (1996)
  • S. Miller, P.H. Holloway. J. Electron. Mater., 25, 1709 (1996)
  • A. Durbha, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.W. Lee, P.H. Holloway, F. Ren. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (4), 2582 (1996)
  • T. Gessmann, Y.L. Li, E.L. Waldron, J.W. Graff, E.F. Schubert, J.K. Sheu. Appl. Phys. Lett., 80, 986 (2002)
  • P.H. Holloway, T.J. Kim, J.T. Trexler, S. Miller, J.J. Fijot, W.U. Lampert, T.W. Haas. Appl. Surf. Sci., 117/118, 362 (1997)
  • C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, S.J. Pearton, W.S. Hobson. Appl. Phys. Lett., 66, 1969 (1995)
  • Ho Won Jang, W. Urbanek, M.C. Yoo, Jong-Lam Lee. Appl. Phys. Lett., 80, 2937 (2002)
  • Joon Seop Kwak, Ok-Hyun Nam, Yongjo Park. Appl. Phys. Lett., 80, 3554 (2002)
  • K.O. Schweitz, P.K. Wang, S.E. Mohney, D. Gotthold. Appl. Phys. Lett., 80, 1954 (2002)
  • H. Morko c, S. Strike, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
  • M.E. Lin, Z. Ma, F.Y. Huang, Z.F. Fan, L.H. Allen, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 64, 1003 (1994)
  • S. Prakashs, L.S. Tan, K.M. Ng, A. Raman, S.J. Chua, A.T.C. Woe, S.N. Lin. Abstract Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 48
  • Zhifang Fan, S. Noor Mohammad, Wook Kim, Ozgur Aktas, Andrei E. Botchkarev, Hadis Morko c. Appl. Phys. Lett., 68, 1672 (1996)
  • E. Kaminska, A. Piotrowska et al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 1077 (1998)
  • A. Lunev, V. Chaturvedi, A. Chitmis, G. Simin, J. Yang, M.A. Khan. Abstract Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 159
  • J.B. Fedison, T.P. Chow, H. Lu, T.B. Bhat. Abstract Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Sheraton, 1999) p. 463
  • Ja-Soon Jang, Seong-Ju Park, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 76, 2898 (2000)
  • D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. MRS Internet. J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G6, 49 (1999)
  • J.S. Jang, H.G. Kim, K.H. Park, C.S. Um, I.K. Han, H.K. Jang, S.J. Part. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 1653 (1998)
  • Jin-Kuo Ho, Charng-Shyang Jong, Chien C. Chiu, Chao-Nier Huang, Chin-Yuen Chen, Kwang-Kuo Shih. Appl. Phys. Lett., 74, 1275 (1999)
  • D.B. Ingerly, Y.A. Chang, Y. Chen. Appl. Phys. Lett., 74, 2480 (1999)
  • Masaaki Suzuki, T. Arai, T. Kawakami, S. Kobayashi, S. Fujita, Yasuo Koide, Y. Taga, Masanori Murakami. J. Appl. Phys., 86, 5079 (1999)
  • R.W. Chuang, A.Q. Zou, H.P. Lee. MRS Internet J. Nitride Semicong. Res., 4S1, G6, 42 (1999)
  • Chen-Fu Chu, C.C. Yu, Y.K. Wang, J.Y. Tsai, F.I. Lai, S.C. Wang. Appl. Phys. Lett., 77, 3423 (2000)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52, 2157 (1988)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 66 (1988)
  • Yasuo Nannichi, Jia-Fa Fan, Haruhiro Oigawa, Atsushi Koma. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2367 (1988)
  • Jia-Fa Fan, Haruhiro Oigawa, Yasuo Nannichi. Jap. J. Appl. Phys., 27, L2125 (1988)
  • S. Logha, D.B. Janes, N.P. Chen. Appl. Phys. Lett., 80, 4452 (2002)
  • Ching-Ting Lee, Yow-Jon Lin, Day-Shan Liu. Appl. Phys. Lett., 79, 2573 (2001)
  • June O. Song, Seong-Ju Park, Tae-Yeon Seong. Appl. Phys. Lett., 80, 3129 (2002)
  • G.Y. Chung, C.C. Tin, J.R. Williams, K. McDonalds, R. Charmane. Abstract of E-MRS Spring Meeting, Symp. F: Amorph. Cryst SiC Mater. Appl. (2001) F7
  • J. Massies, J. Chaplart, M. Lavirou, N.T. Linh. Appl. Phys. Lett., 38, 693 (1988)
  • Yih-Cheng Shin, Masanori Murakami, E.L. Wilkie, A.C. Callegari. J. Appl. Phys., 62, 582 (1987)
  • M. Otsubo, H. Kumabe, H. Miki. Sol. St. Electron., 20 (7), 617 (1977)
  • A. Christou. Sol. St. Electron., 22, 141 (1979)
  • C.L. Chen, L.J. Mahoney, M.C. Finn, R.C. Brooks, A. Chu, J.G. Mavroides. Appl. Phys. Lett., 48 (8), 535 (1986)
  • Ю.А. Гольдберг. ФТП, 28 (10), 1681 (1994)
  • Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ФТП, 3 (11), 1718 (1969)
  • Yih-Cheng Shih, Masanori Murakami, W.H. Price. J. Appl. Phys., 65 (9), 3539 (1989)
  • C.-F. Lin, D.B. Ingerly, Y.A. Chang. Appl. Phys. Lett., 69 (23), 3543 (1996)
  • Sang Youn Han, Ki Honh Kim, Jong Kyu Kim, Ho Won Jang, Kwang Ho Lee, Nam-Kyun Kim, Eun Dong Kim, Jong-Lam Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1816 (2001)
  • Hidenori Shimawaki, Naoki Furuhata, Kasuhiko Honjo. J. Appl. Phys., 69 (11), 7939 (1991)
  • A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., 68 (8), 4133 (1990)
  • T. Clausen, O. Leistiko. Appl. Phys. Lett., 62 (10), 1108 (1993)
  • S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, V.G. Riggs, W.C. Dautremont-Smith, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 67 (8), 3754 (1990)
  • J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, C.T. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина, О.В. Константинов, А.Е. Николаев, А.В. Фомин, А.Е. Черенков. ФТП, 35 (5), 550 (2001)
  • T. Nacamura, M. Satoh. Abstracts Int. Conf. on SiC and Rel. Mater. (Japan, 2001) Technical Digest: Th-P-41, 631
  • Е.И. Иванов, Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, Н.М. Шмидт. ФТП, 15, 1343 (1981)
  • High Performance Silicon Photodiodes. Centronic Lim. Catalog (1995)
  • Optoelectronics Data Book. EG and G Vactec Catalog (1991)
  • Photodiodes. Hamamatsu Photonics Catalog (1995)
  • Optoelectronics Data Book. Advanced Photonics Catalog (1995)
  • R.W. Williams. J. Opt. Soc. Amer., 52, 1237 (1962)
  • T.E. Hansen. Phys. Scr., 18, 471 (1978)
  • W. Munch. Jap. J. Appl. Phys., 16 (Suppl.), 271 (1977)
  • Ray Korde, Jon Geist. Appl. Optics, 26, 5248 (1987)
  • Ray Korde, Jon Geist. Sol.-St. Electron., 30 (1), 89 (1987)
  • L.R. Canfield, J. Kerner, R. Korde, J. Geist. Appl. Optics, 28, 3940 (1989)
  • Ю.А. Гольдберг, В.В. Забродский, О.И. Оболенский, Т.В. Петелина (Бланк), В.Л. Суханов. ФТП, 33, 344 (1999)
  • Technology report. Laser Focus, 21, 256 (1985)
  • E. Tegeler, N. Krumrey. Nucl. Instrum. Meth., A282, 701 (1989)
  • N. Krumrey, E. Tegeler. Nucl. Instrum. Meth., A288, 714 (1990)
  • N. Krumrey, E. Tegeler, J. Barth, M. Krisch, F. Schafers, R. Wolf. Appl. Optics, 27, 4336 (1988)
  • M.V. Schneider. Bell Syst. Techn. J., 45, 1611 (1966)
  • C.K. Chen, B. Nechay, B.Y. Tsaur. IEEE Trans. Electron. Dev., 38, 1094 (1991)
  • M.M. Blouke, M.W. Cowens, J.E. Hall, J.A. Westphal, A.B. Christensen. Appl. Optics, 19, 3318 (1980)
  • G. Leveque, J. Peisner, Y. Sangare. Appl. Optics, 33, 1857 (1994)
  • J.R. Janesick, K.P. Klaasen, T. Elliott. Opt. Eng. Bellingham, 26, 972 (1987)
  • G. Naletto, E. Pace, G. Tondello, A. Boscolo. Meas. Sci. Technol., 5, 1491 (1994)
  • A.D. Conder, J. Dunn, B.K.F. Young. Rev. Sci. Instrum., 66 (1), 709 (1995)
  • P.F. Morrissey, S.R. McCandliss, P.D. Feldman, S.D. Friedman. Appl. Optics, 33 (13), 2535 (1994)
  • Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ПТЭ, 19 (4), 212 (1976)
  • M. Caria, L. Barberini, S. Cadeddu, A. Giannattasio, A. Rusani, A. Sesselego, A. Lai, S. D'Auria, F. Dubecky. Appl. Phys. Lett., 81, 1506 (2002)
  • T.F. Deutsch, F.J. Leonberger, A.G. Foyt, D. Mills. Appl. Phys. Lett., 41, 403 (1982)
  • A.D. Wilson, H. Lyall. Appl. Optics, 25, 4530 (1986)
  • A.D. Wilson, H. Lyall. Appl. Optics, 25, 4540 (1986)
  • Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Г.В. Гусев, В.И. Огурцов. ФТП, 8, 410 (1974)
  • В.И. Стафеев, И.Д. Анисимова. ФТП, 28, 461 (1994)
  • R.C. Hughes, T.E. Zipperian, L.R. Dawson, R.M. Biefeld, R.J. Walko, M.A. Dvorack. J. Appl. Phys., 69, 6500 (1991)
  • А.И. Малик, Т.Г. Грушка. ФТП, 25, 1691 (1991)
  • Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ЖТФ, 66 (8), 195 (1996)
  • А.Р. Аннаева, А. Беркелиев, В.Н. Бессолов, Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 15, 1122 (1981)
  • А.Р. Аннаева, А. Беркелиев, В.Н. Бессолов, Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 15, 109 (1981)
  • В.М. Андреев, В.С. Калиновский, В.Р. Ларионов, М.М. Миланова, К.Я. Расулов, В.Г. Румянцев, В.П. Хвостиков. Письма ЖТФ, 16 (19), 56 (1990)
  • Q. Chen, J.W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M.Z. Anwar, M.A. Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997)
  • C. Carrano, P.A. Grudowski, C.J. Eiting, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 70, 1992 (1997)
  • O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, J. Salzman. Appl. Phys. Lett., 80, 347 (2002)
  • E. Monroy, T. Palacios, O. Hainaut, F. Omn\`es, F. Calle, J.-F. Hochedez. Appl. Phys. Lett., 80, 3198 (2002)
  • Shigeru Yagi. Appl. Phys. Lett., 76, 345 (2000)
  • Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P. Chen, D.J. Xi, Z.Y. Luo, R. Zhang, B. Shen, Z.Z. Chen, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett., 77, 444 (2000)
  • S.W. Seo, K.K. Lee, Sangbeom Kang, S. Huang, William A. Doolittle, N.M. Jokerst, A.S. Brown. Appl. Phys. Lett., 79, 1372 (2001)
  • Ching-Wu Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1568 (2002)
  • Necmi Biyikli, Tolga Kartaloglu, Orhau Aytur, Ibrahim Kimukin, Ekmel Ozbay. Appl. Phys. Lett., 79, 2838 (2001)
  • V. Adivarahan, G. Simin, J.W. Yang, A. Lunev, M. Asif Khan, N. Pala, M. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 77, 863 (2000)
  • O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, J. Salzman. Appl. Phys. Lett., 79, 1417 (2001)
  • P.W. Deelman, R.N. Bicknell-Tassius, S. Nikishin, V. Kuryatkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 78, 2172 (2001)
  • J.M. Van Hove, R. Hickman, J.J. Klaassen, P.P. Chow, P.P. Ruden. Appl. Phys. Lett., 70, 2282 (1997)
  • A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M.A. Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 71, 2334 (1997)
  • J.C. Carrano, D.J.H. Lambert, C.J. Eiting, C.J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang, A.L. Beck, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 76, 924 (2000)
  • K.A. McIntosh, R.J. Molnar, L.J. Mahoney, K.M. Molvar, N. Efremow, Jr., S. Verghese. Appl. Phys. Lett., 76, 3938 (2000)
  • M. Asif Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, J.M. Van Hove, M. Blasingame, F. Reitz. Appl. Phys. Lett., 60, 2917 (1992)
  • D. Walker, X. Zhang, P. Kung, A. Saxler, S. Javadpour, J. Xu, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 68, 2100 (1996)
  • A. Misra, T.D. Moustakas, R.P. Vaudo, R. Singh, K.S. Shah. Proc. SPIE, 2519, 78 (1995)
  • K.S. Stevens, M. Kinniburgh, A.F. Schwartzman, A. Ohtani, R. Beresford. Appl. Phys. Lett., 66, 3179 (1995)
  • J.P. Basrur, F.S. Choa, P.-L. Liu, J. Sipior, G. Rao, G.M. Carter, Y.J. Chen. Appl. Phys. Lett., 71, 1385 (1997)
  • J.A. Garrido, E. Monroy, I. Izpura, E. Munoz. Semicond. Sci. Technol., 13, 563 (1998)
  • J.-F. Hochedez, J. Alvarez, F.D. Auret, P. Bergonzo, M.-C. Castex, A. Deneuville, J.M. Defise, B. Fleck, P. Gibart, S.A. Goodman, O. Hainaut, J.-P. Kleider, P. Lemaire, J. Manca, E. Monroy, E. Munoz, P. Muret, M. Nesladek, F. Omnes, E. Pace, J.L. Pau, V. Ralchenko, J. Roggen, U. Schuhle, C. Van Hoof. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 427 (2002)
  • J.L. Pau, E. Monroy, F.B. Naranjo, E. Munoz, F. Calle, M.A. Sanchez-Garci a, E. Calleja. Appl. Phys. Lett., 76, 2785 (2000)
  • E.J. Tarsa, P. Kozodoy, J. Ibbetson, B.P. Keller, G. Parish, U. Mishra. Appl. Phys. Lett., 77, 316 (2000)
  • D. Walker, V. Kumar, K. Mi, P. Sandvik, P. Kung, X.H. Zhang, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 76, 403 (2000)
  • E. Monroy, F. Calle, E. Munoz, F. Omn\`es, P. Gibart, J.A. Munoz. Appl. Phys. Lett., 73, 2146 (1998)
  • V. Adivarahan, G. Simin, G. Tamulaitis, R. Srinivasan J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 79, 1903 (2001)
  • A. Bouhdada, M. Hanzaz, P. Gibart, F. Omn\`es, E. Monroy, E. Munoz. J. Appl. Phys., 87, 8286 (2000)
  • E. Monroy, F. Calle, J.L. Pau, F.J. Sanchez, E. Munoz, F. Omn\`es, B. Beaumont, P. Gibart. J. Appl. Phys., 88, 2081 (2000)
  • S.L. Rumyantsev, N. Pala, M.S. Shur, R. Gaska, M.E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan. Appl. Phys. Lett., 79, 866 (2001)
  • G.Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morko c, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, S. Krishnankutty. Appl. Phys. Lett., 71, 2154 (1997)
  • C.J. Collins, T. Li, D.J.H. Lambert, M.M. Wong, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 77, 2810 (2000)
  • D.J.H. Lambert, M.M. Wong, U. Chowdhury, C. Collins, T. Li, H.K. Kwon, B.S. Shelton, T.G. Zhu, J.C. Campbell, R.D. Dupuis. Appl. Phys. Lett., 77, 1900 (2000)
  • C.J. Collins, U. Chowdhury, M.M. Wong, B. Yang, A.L. Beck, R.D. Dupuis, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 80, 3754 (2002)
  • V.V. Kuryatkov, H. Temkin, J.C. Campbell, R.D. Dupuis. Appl. Phys. Lett., 78, 3340 (2001)
  • H. Morkoc, A. Di Carlo, R. Cingolani. Sol. St. Electron., 46, 157 (2002)
  • Technical perort. III-V Review, 15 (7), 14 (2002)
  • Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 26, 1008 (1992)
  • SiC UV Detectors, Laser Components Catalog (Boston Electronics Corp., 1996)
  • M.M. Anikin, A.N. Andreev, S.N. Pyatko, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Sensors Actuators, A33, 91 (1992)
  • C. Frojdn, G. Thungstrom, H.E. Nilsson, C.S. Petersson. Phys. Scr., 54, 169 (1994)
  • V.I. Sankin, Chelibanov. Phys. St. Sol., 185 (1), 153 (2001)
  • А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 245 (2000)
  • G. Violina, A. Andreev, E. Violin. Second Europ. Conf. on High Temperature Electronics --- HITEC (1996) p. 195
  • D.M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, G. Michon, E. Shu. Second Europ. Conf. on High Temperature Electronics --- HITEC (1996) p. 23
  • D.M. Brown, E.T. Downey, M. Chezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 325 (1993)
  • J. Edmond, H. Kong, A. Suvorov, D. Waltz, C. Carter. Phys. St. Sol. (a), 162, 481 (1997)
  • J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physics B, 185, 453 (1997)
  • Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А. Халлен, А.О. Константинов. ФТП, 36, 746 (2002)
  • Д.М. Аксененко, М.Л. Бараночников. Справочник по оптическим детекторам излучения (М., Радио и связь, 1987)
  • С.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35, 626 (2001)
  • A. Gerhard, J. Nurnberg, K. Schull, V. Hock, G. Schumaher, M. Ehinger, W. Faschinger. J. Cryst. Growth, 184/185, 1319 (1998)
  • H. Hong, W.A. Anderson. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 1127 (1999)
  • F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Electron. Lett., 36 (4), 352 (2000)
  • F. Vigue, P. de Mierry, J.-P. Faurie, E. Monroy, F. Calle, E. Munoz. Electron. Lett., 36 (9), 826 (2000)
  • E. Monroy, F. Vigue, F. Calle, J.I. Izpura, E. Munoz, J.-P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 77, 2761 (2000)
  • F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie, E. Monroy, F. Calle, E. Munoz. Appl. Phys. Lett., 78, 4190 (2001)
  • A. Siess, G. Reuscher, P. Grabs, H.-S. Lugauier, T. Schallenberg, M. Ehinger, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 201/202, 965 (1999)
  • F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 76, 242 (2000)
  • Hitoshi Ishikura, Tomoki Abe, Nariyuki Fukuda, Hirofumi Kasada, Koshi Ando. Appl. Phys. Lett., 76, 1069 (2000)
  • Z.H. Ma, I.K. Sou, K.S. Wong, Z. Yang, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 73, 2251 (1998)
  • I.K. Sou, Z.H. Ma, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 75, 3707 (1999)
  • I.K. Sou, Z.H. Ma, Z.Q. Zhang, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett., 76, 1098 (2000)
  • A. Zeuner, H. Alves, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, M. Heuken, J. Blasing, A. Krost. Appl. Phys. Lett., 80, 2078 (2002)
  • H. Fabricius, T. Skettrup, P. Bisgaard. Appl. Optics, 25, 2764 (1986)
  • Y. Liu, C.R. Gorla, S. Liang, N. Ewanetoglu, Y. Lu, H. Chen, M. Wraback. J. Electron. Mater., 29, 69 (2000)
  • W. Yang, R.D. Vispute, S. Choopun, R.P. Sharma, T. Venkatesan, H. Shen. Appl. Phys. Lett., 78, 2787 (2001)
  • P. Sharma, A. Mansingh, K. Sreenivas. Appl. Phys. Lett., 80, 553 (2002)
  • K. Keis, E. Magnusson, H. Lindstom, S.-E. Lindquist, A. Hagfeldt. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 73 (1), 51 (2002)
  • Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, W. Fuhs, A. Froitzheim. ФТП, 36, 1128 (2002)
  • M.D. Whitfield, S.S.M. Chan, R.B. Jackman. Appl. Phys. Lett., 68, 290 (1996)
  • F. Foulon, P. Bergonzo, C. Borel, R.D. Marshall, C. Jany, L. Besombes, A. Brambilla, D. Riedel, L. Museur, M.C. Castex, A. Gicquel. J. Appl. Phys., 84, 5331 (1998)
  • G. Popovici, A. Melnikov, V.V. Varichenko, T. Sung, M.A. Prelas, R.G. Wilson, S.K. Loyalka. J. Appl. Phys., 81, 2429 (1997)
  • Satoshi Koizumi, Kenji Watanabe, Masataka Hasegawa, Hisao Kanda. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 307 (2002)
  • R.D. McKeag, S.S.M. Chan, R.B. Jackman. Appl. Phys. Lett., 67, 2117 (1995)
  • S. Salvatori, A. Della Scala, M.C. Rossi, G. Conte. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 458 (2002)
  • L. Thaiyotin, E. Ratanaudompisut, T. Phetchakul, S. Cheirsirikul, S. Supadech. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 442 (2002)
  • S.P. Lansley, O. Gaudin, Haitao Ye, N. Rizvi, M.D. Whitfield, R.D. McKeag, R.B. Jackman. Diamond Relat. Mater., 11 (3-6), 433 (2002)
  • T.V. Semikina, A.N. Shmyryeva. Diamond Relat. Mater., 11 (7), 1329 (2002)
  • S. Noguchi, H. Kuriyama, T. Matsuyama, H. Tarui. Sanyo Techn. Rev., 23, 70 (1991)
  • P. Mandracci, M.L. Rastello, P. Rava, F. Guiliani, F. Giorgis. Thin Sol. Films, 337, 232 (1999)
  • Ж. Атаев, В.А. Васильев, А.С. Волков, М.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, И.В. Шведков. ФТП, 25, 1350 (1991)
  • Marko Topiv c, Helmut Stiebig, Mathias Krause, Heribert Wagner. Appl. Phys. Lett., 78, 2387 (2001)
  • G. de Cesare, F. Irrera, F. Palma, M. Tucci, E. Jannitti, G. Naletto, P. Nicolosi. Appl. Phys. Lett., 67, 335 (1995)
  • В.В. Соболев, А.И. Колугин. ФТП, 36, 155 (2002)
  • Alan Mills. III-V Review, 15 (2), 36 (2002)
  • B. Chu, D. Fan, W.L. Li, Z.R. Hong, R.G. Li. Appl. Phys. Lett., 81, 10 (2002)
  • Peigen Ni, Bingying Cheng, Daozhong Zhang. Appl. Phys. Lett., 80, 1879 (2002)
  • Hidenori Hiramatsu, Kazushige Ueda, Hiromichi Ohta, Masahiro Orita, Masahiro Hirano, Hideo Hosono. Appl. Phys. Lett., 81, 598 (2002)
  • Samson A. Jenekhe, Shujian Yi. Appl. Phys. Lett., 77, 2635 (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.