"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пикосекундное переключение тока высокой плотности (60 кА/см2) кремниевым коммутатором на основе сверхбыстрого фронта ионизации
Гусев А.И.1, Любутин С.К.1, Рукин С.Н.1, Словиковский Б.Г.1, Цыранов С.Н.1,2
1Институт электрофизики, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

При исследовании кремниевого коммутатора с механизмом последовательного переключения диодных структур на основе сверхбыстрого фронта ионизации в коаксиальной линии с волновым сопротивлением 48 Ом получены импульсы с амплитудой более 100 кВ и фронтом 40 пс по уровню 0.3-0.9 от амплитуды. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения достигает 2 МВ/нс при амплитудном значении плотности коммутируемого тока 60 кА/см2. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания обратного напряжения на одну структуру >100 кВ/нс, реализованной в эксперименте, время коммутации единичных структур в приборе составляет 7-15 пс, а электрическое поле в p-n-переходе достигает порога зинеровского пробоя (~106 В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией до 1013 см-3.
  1. И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5, 950 (1979)
  2. И.В. Грехов, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 37 (18), 17 (2011)
  3. P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 92 (2), 958 (2002)
  4. P. Rodin, U. Ebert, A. Minarsky, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 102, 034 508 (2007)
  5. А.С. Кюрегян. ФТП, 41 (6), 761 (2007)
  6. А.С. Кюрегян. ФТП, 47 (7), 970 (2013)
  7. P. Rodin, A. Rodina, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 98, 094 506 (2005)
  8. P. Rodin, A. Minarsky, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 108, 034 501 (2010)
  9. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 44 (7), 962 (2010)
  10. S.K. Lyubutin, S.N. Rukin, B.G. Slovikovsky, S.N. Tsyranov. IEEE Trans. Plasma Sci., PS-38 (10), 2627 (2010)
  11. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 46 (4), 535 (2012)
  12. J. Piprek. Semiconductor Optoelectronic Devices: Introduction to Physics and Simulation (Amsterdam, Boston, Academic Press, 2003)
  13. P. Rodin, U. Ebert, W. Hundsdorfer, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 92 (4), 1971 (2002)
  14. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков (область сильных полей) (М., Физматлиз, 1958)
  15. A.F. Kardo-Sysoev. In: Ultra-wideband radar technology, ed. by J.D. Taylor (CRC Press, Boca Raton, London, New York, Washington, 2001) p. 205
  16. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. Письма ЖТФ, 31 (5), 36 (2005)
  17. S.N. Tsyranov, S.K. Lyubutin, S.N. Rukin, B.G. Slovikovsky. Proc. XVI Int. Symp. on High Current Electronics (Tomsk, Russia, 2010) p. 288
  18. Г.А. Месяц. Импульсная энергетика и электроника (М., Наука, 2004) гл. 8
  19. А.М. Ефремов, В.И. Кошелев, Б.М. Ковальчук, В.В. Плиско, К.Н. Сухушин. ПТЭ, N 1, 77 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.