Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
Беляков Л.В.1, Захарова И.Б.2, Зубкова Т.И.2, Мусихин С.Ф.2, Рыков С.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Исследовано формирование эпитаксиальных пленок теллурида свинца на кремниевой подложке с буферным подслоем пористого кремния. Несмотря на большое рассогласование постоянных решетки и температурного коэффициента расширения кремния и теллурида свинца, сформированные на основе этих пленок методом ионного легирования вертикальные фотодиоды инфракрасного диапазона характеризуются параметрами, приближающимися к параметрам аналогичных фотодиодов на ориентирующей подложке.
- В.П. Бондаренко, Н.Н. Воронов, В.В. Дикарева, А.М. Дорофеев, В.И. Левченко, Л.И. Постнова, Г.Н. Троянова. Письма в ЖТФ, 20, В. 10. 51 (1994)
- З.М. Дашевский, М.П. Руденко. ФТП 27, 662 (1993)
- И.Б. Захарова, Т.И. Зубкова, С.А. Немов, О.В. Рабизо, В.Н. Выдрик. ФТП 28, 1802 (1994)
- И.А. Аброян, Б.З. Алиев, С.Д. Имамкулиев, С.А. Казьмин, В.И. Кайданов, Г.Д. Касаманли, А.В. Суворов. ФТП, 17, 611 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.