Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование структуры края валентной зоны кристаллов Cd 1-xMnxS при помощи магнитооптических измерений
Абрамишвили В.Г.1, Комаров А.В.1, Рябченко С.М.1, Семенов Ю.Г.2
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 29 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Проведены магнитооптические исследования кристаллов Cd1-xMnxS с концентрацией магнитной компоненты x1=0.0056, x2=0.0013, x3=0.0002 при T=2 K в магнитном поле H=< 3.5 T для H normal c и H|| c, где c - гексагональная ось кристалла. Впервые удалось надежно зафиксировать спиновое расщепление спектров экситонного отражения B-экситонного перехода благодаря использованию поперечной геометрии эксперимента H normal c. На основании данных, полученных как при H normal c, так и при H|| c, найдены параметры кристаллического поля и спин-орбитального взаимодействия Delta1, Delta2, Delta3 и обменные константы Je, Jh кристаллов Cd1-xMnxS, обеспечивающие наилучшее описание эксперимента в приближении среднего обменного поля. Проведенный анализ показал, что для всего ряда исследованных кристаллов Cd1-xMnxS основные качественные особенности наблюдаемых спектров отражения могут быть описаны только исходя из условия (Delta1-Delta2)<0.
- С.И. Губарев. ЖЭТФ, 80, 1174 (1981)
- В.Г. Абрамишвили, С.И. Губарев, А.В. Комаров, С.М. Рябченко. ФТТ, 26 1095 (1984)
- С.И. Губарев, М.Г. Тяжлов, Письма ЖЭТФ, 44, 385 (1986)
- M. Nawrocki, J.P. Lascaray et al. MRS Symposia Proc., 89, 65 (1987)
- В.Г. Абрамишвили, А.В. Комаров, Ю.Г. Семенов, С.М. Рябченко. Тез. докл. 1 нац. конф. "Дефекты в полупроводниках" (С.-Петербург, 1992) с. 57
- J.L. Birman. Phys. Rev., 114, 1490 (1959)
- D.G. Thomas, J.J. Hopfield. Phys. Rev., 116, 573 (1959); Phys. Rev., 119, 570 (1960)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- D.W. Langer, R.N. Euwema, K. Era, T. Koda. Phys. Rev. B, 2, 4005 (1970)
- С.М. Рябченко, Ю.Г. Семенов. В сб.: Спектроскопия кристаллов (Л., Наука, 1983) с. 206
- А.В. Комаров, С.М. Рябченко, Ю.Г. Семенов, В.Д. Шанина, Н.И. Витриховский. ЖЭТФ, 79, 1554 (1980)
- Yu.G. Semenov, V.A. Stephanovich. Semicond. Sci. Technol., 7, 364 (1992)
- К.Д. Дмитренко, Л.В. Тараненко, С.Г. Шевель, А.В. Маринченко. ФТП, 19, 788 (1985)
- S.I. Gubarev. Phys. St. Sol. (b), 134, 211 (1986)
- J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev., 122, 35 (1961)
- S.M. Ryabchenko, Yu.G. Semenov, O.V. Terletskii. Phys. St. Sol. (b), 144, 661 (1987)
- S.I. Gubarev. J. Luminesc. 52, 193 (1992)
- C. Benoit a la Guillaume, D. Scalbert, T. Dietl. Phys. Rev. B, 46, 9853 (1992)
- В.Г. Абрамишвили, С.М. Рябченко, О.В. Терлецкий. ФТТ. 31, 33 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
