Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 22 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982); E. Kapon, M. Water, J. Christen, M. Grundmann, C. Caneau, D.M. Hwang, E. Colas, R. Bhat, G.H. Song, D. Bimberg. Superlat. Microstr., 12, 491 (1992)
- D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. DenBaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993); А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
- Q. Xie, P. Chen, A. Kalburge, A. Nayfonov, T.R. Ramachandran, A. Konkar, A. Madhukar. Proc. 8th Int. Conf. on MBE (Osaka, Japan, 1994) p. 383
- K. Kaviano, J. Chen, K. Hu, L. Chen, A. Madhukar. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 793 (1992)
- L.P. Sandwick, D.C. Streit, W.L. Jones, C.W. Kim, R.J. Hwu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-39, 50 (1992)
- T.R. Chen, L.E. Eng, B. Zhao, Y.H. Zhuang, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 63, 2621 (1993)
- N. Chand, E.E. Becker, J.P. van der Ziel, S.N.G. Chu, N.K. Dutta. Appl. Phys. Lett., 58, 1704 (1991)
- А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1682 (1996)
- V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.A. Bert, A.O. Kosogov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I.Alferov. Proc. Mater. Research Society Fall Meeting (Boston, 1995) paper EE3.6
- N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Shmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, U. Gossele, J. Heidenreih. Phys. Rev. Lett., in print
- D. Bimberg, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, O. Schmidt, M. Grundmann, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, U. Gosele, J. Heydenreich. Proc. 1995. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, 1995) p. 716.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
