Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 1 » Статья стр. 104
<<<>>>
Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs
Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1, Гордеев Н.Ю.1, Зайцев С.В.1, Копьев П.С.1, Бимберг Д.2, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 22 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
PDF версия
Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982); E. Kapon, M. Water, J. Christen, M. Grundmann, C. Caneau, D.M. Hwang, E. Colas, R. Bhat, G.H. Song, D. Bimberg. Superlat. Microstr., 12, 491 (1992)
  2. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. DenBaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993); А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994)
  3. Q. Xie, P. Chen, A. Kalburge, A. Nayfonov, T.R. Ramachandran, A. Konkar, A. Madhukar. Proc. 8th Int. Conf. on MBE (Osaka, Japan, 1994) p. 383
  4. K. Kaviano, J. Chen, K. Hu, L. Chen, A. Madhukar. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 793 (1992)
  5. L.P. Sandwick, D.C. Streit, W.L. Jones, C.W. Kim, R.J. Hwu. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-39, 50 (1992)
  6. T.R. Chen, L.E. Eng, B. Zhao, Y.H. Zhuang, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 63, 2621 (1993)
  7. N. Chand, E.E. Becker, J.P. van der Ziel, S.N.G. Chu, N.K. Dutta. Appl. Phys. Lett., 58, 1704 (1991)
  8. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 30, 1682 (1996)
  9. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.A. Bert, A.O. Kosogov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I.Alferov. Proc. Mater. Research Society Fall Meeting (Boston, 1995) paper EE3.6
  10. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Shmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, U. Gossele, J. Heidenreih. Phys. Rev. Lett., in print
  11. D. Bimberg, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, O. Schmidt, M. Grundmann, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, U. Gosele, J. Heydenreich. Proc. 1995. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, 1995) p. 716.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme