Вышедшие номера
Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs
Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1, Гордеев Н.Ю.1, Зайцев С.В.1, Копьев П.С.1, Бимберг Д.2, Алферов Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 22 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

Исследуется влияние высокотемпературного отжига на оптические свойства массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs в матрице GaAs, а также на приборные характеристики инжекционного лазера с активной областью на основе массива квантовых точек. Наблюдается сильный коротковолновый сдвиг максимума фотолюминесценции и линии лазерной генерации, изменение интенсивности фотолюминесценции и температурной зависимости пороговой плотности тока. Причиной наблюдаемого поведения, по-видимому, является уменьшение энергии локализации носителей в квантовых точках в результате частичного перемешивания атомов In и Ga, а также повышение структурного упорядочения в слоях Ga(Al)As, выращенных при низкой температуре, в результате высокотемпературного отжига.