"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1.3 мкм
Новиков И.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Семенова Е.С.1, Васильев А.П.1, Жуков А.Е.1, Устинов В.М.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Проведено исследование полупроводниковых лазерных гетероструктур с 5 и 10 слоями квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках GaAs, с длиной волны излучения ~1.3 мкм. Из анализа эффективности спонтанной излучательной рекомбинации от тока и температуры получены зависимости безызлучательного времени жизни и эффективного оже-коэффициента в квантовых точках. Показано, что при низких температурах (ниже 200 K) в квантовых точках преобладает беспороговый канал оже-рекомбинации, в то время как при более высоких температурах доминирует квазипороговый канал. Оценки эффективного трехмерного оже-коэффициента, выполненные в приближении сферической квантовой точки, дают хорошее согласие с полученными экспериментальными результатами.
  1. N.N. Ledentsov, et al. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  2. J.L. Pan. Phys. Rev. B, 46, 3977 (1992)
  3. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  4. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998)
  5. Е.Б. Догонкин, Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 117, 429 (2000)
  6. I.P. Marko, A.D. Andreev, A.R. Adams, R. Krebs, J.P. Reithmaier, A. Forchel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9, 1300 (2003)
  7. K.R. Poguntke, A.R. Adams. Electron. Lett., 28, 41 (1992)
  8. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, H. Ishikawa. IEEE J. Quant. Electron., 36, 472 (2000)
  9. M.I. Dyakonov, V.Yu. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 130 (1994)
  10. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  11. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimgerg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36, 1400 (2002)
  12. Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
  13. A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.A. Semenova, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth, 251, 729 (2003)
  14. И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 1270 (2003)
  15. А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 483 (1997)
  16. D.G. Deppe, D.L. Huffaker, Z. Zou, G. Park, O.B. Shchekin. IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999)
  17. S. Ghosh, P. Bhattacharya, E. Stoner, J. Singh, H. Jiang, S. Nuttinck, J. Laskar. Appl. Phys. Lett., 79, 722 (2001)
  18. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. Тез. докл. 2-й Росс. конф. по физике полупроводников (1996) т. 1, с. 95
  19. E.B. Dogonkine, V.N. Golovatch, A.S. Polkovnikov, A.V. Pozdnyakov, G.G. Zegrya. 8th Int. Symp. Nanostructures : Physics and Technology (St. Petersburg, 2000) p. 399
  20. J. He, B. Xu, Z.G. Wang. Appl. Phys. Lett., 84, 5237 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.