"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1.3 мкм
Новиков И.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Семенова Е.С.1, Васильев А.П.1, Жуков А.Е.1, Устинов В.М.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Проведено исследование полупроводниковых лазерных гетероструктур с 5 и 10 слоями квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках GaAs, с длиной волны излучения ~1.3 мкм. Из анализа эффективности спонтанной излучательной рекомбинации от тока и температуры получены зависимости безызлучательного времени жизни и эффективного оже-коэффициента в квантовых точках. Показано, что при низких температурах (ниже 200 K) в квантовых точках преобладает беспороговый канал оже-рекомбинации, в то время как при более высоких температурах доминирует квазипороговый канал. Оценки эффективного трехмерного оже-коэффициента, выполненные в приближении сферической квантовой точки, дают хорошее согласие с полученными экспериментальными результатами.
  • N.N. Ledentsov, et al. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  • J.L. Pan. Phys. Rev. B, 46, 3977 (1992)
  • Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
  • A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58, 4039 (1998)
  • Е.Б. Догонкин, Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 117, 429 (2000)
  • I.P. Marko, A.D. Andreev, A.R. Adams, R. Krebs, J.P. Reithmaier, A. Forchel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9, 1300 (2003)
  • K.R. Poguntke, A.R. Adams. Electron. Lett., 28, 41 (1992)
  • K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, H. Ishikawa. IEEE J. Quant. Electron., 36, 472 (2000)
  • M.I. Dyakonov, V.Yu. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49, 17 130 (1994)
  • M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  • С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimgerg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36, 1400 (2002)
  • Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
  • A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.A. Semenova, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Cryst. Growth, 251, 729 (2003)
  • И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 1270 (2003)
  • А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 483 (1997)
  • D.G. Deppe, D.L. Huffaker, Z. Zou, G. Park, O.B. Shchekin. IEEE J. Quant. Electron., 35, 1238 (1999)
  • S. Ghosh, P. Bhattacharya, E. Stoner, J. Singh, H. Jiang, S. Nuttinck, J. Laskar. Appl. Phys. Lett., 79, 722 (2001)
  • Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. Тез. докл. 2-й Росс. конф. по физике полупроводников (1996) т. 1, с. 95
  • E.B. Dogonkine, V.N. Golovatch, A.S. Polkovnikov, A.V. Pozdnyakov, G.G. Zegrya. 8th Int. Symp. Nanostructures : Physics and Technology (St. Petersburg, 2000) p. 399
  • J. He, B. Xu, Z.G. Wang. Appl. Phys. Lett., 84, 5237 (2004)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.